基于CHAMP短弧长动力学轨道的地球重力场模型

讨论了基于CHAMP卫星动力学轨道数据以及加速度计数据推求地球重力场模型的动力学法，推导了将加速度计观测数据的尺度和偏差以及卫星初始状态向量与地球重力场位系数一起求解的数学模型. 采用CHAMP卫星120天的动力学轨道数据和加速度数据解算出50阶次的地球重力场模型TJCHAMP01S,并利用各种方法对该模型进行了检核，结果表明：TJCHAMP01S模型精度优于相同阶次的EGM96和EIGEN_1S模型.     

技术组合使用赢得了佛罗里达爆管挑战

本文简要介绍了采用气动、液动两种爆管技术组合使用完成的一项工程施工情况。     

青海省煤系多矿产生态地质勘查模式及实践

通过对相关资料和前人研究的整理、分析,从概念内涵、理论框架、生态环境保护与修复、关键环节等方面进一步深化对生态地质勘查的认识。在青海省高原高寒整体自然地理、气候背景下,结合煤盆地地质、生态地质环境敏感问题、勘查开发活动强度等因素,梳理、分类、总结了青海省典型的生态地质环境特征,并由此提出四种典型生态地质勘查模式。最终,基于生态地质勘查视角的传统地质勘查技术方法的实践应用,在经费高效利用、工作效能提高、生态地质环境扰动降低、地质成果最大化等方面取得了显著成效。     

西藏久朗仓地区吐卡日组化石的发现及其意义

西藏班戈县久朗仓地区新发现中生代珊瑚化石23个属种和层孔虫化石5个属。这些化石表明其所在地层的时代为晚侏罗世,因此不属于中泥盆统—下石炭统查果罗玛组和中二叠统下拉组。根据沉积特征与古生物特点,本次主要研究的地层应对比至侏罗系上统吐卡日组,岩性主要以碳酸盐岩为主,其上段夹碎屑岩,表明本套地层处于稳定的浅海碳酸盐台地环境,其中生物礁的发现表明吐卡日组也是措勤盆地一个有利的油气勘探目标。     

武当地块基性岩墙群的Sm-Nd定年及其相关问题讨论

武当地块是卷入南秦岭构造带的前震旦纪基底岩块,该基底岩块中广泛发育变形变质的基性岩墙群,获得岩墙群的ＳｍＮｄ全岩等时年龄为ｔ＝７８２±１６４（２σ）Ｍａ,ＩＮｄ＝０．５１１７１±１６（２σ）,εＮｄ（ｔ）＝＋１．５±１．０。据此并综合区域地质实际,对南秦岭元古代古陆块的存在及其裂解等相关问题进行了讨论。     

环境污染调查中磁与电磁测量新技术的应用

探查和监测废弃埋藏物的污染状况是环境灾害调查的重要内容,而采用地球物理探测方法进行调查通常是最为经济、快速有效的。西方发达国家近年应用物探新方法技术在环境灾害监测、废弃埋藏物调查方面取得了很好的效果,为环境保护部门提供了可靠的资料。文中介绍美国最近几年采用高精度磁测和电磁测量进行浅层（埋深小于４ｍ）废弃金属埋藏物、战争遗留物（如炸弹）及化学污染物的调查新方法与新技术。研究结果表明,采用下列方法将有效地增强环境污染源的异常信号,提高物探方法在环境灾害调查中的探测能力：高分辨率的测量仪器,如精度达００１ｎＴ的航空磁力仪,进行数据采集并辅以ＧＰＳ定位;降低飞行高度、加密测网布置精细网格;采用校正和滤波等手段消除噪声干扰,并通过物理模拟和数值反演作出定量解释;航空磁测、电磁测量与地面磁梯度、地质雷达等不同方法配合等。     

日本地面基本气象要素观测的自动化与联机化

日本有关部门在1974年上半年研制成“地区气象观测资料传输系统”以后,从11月份起,此传输系统已纳入地面观测业务。作为该系统的终端设备之一,负责提供资料的各自动气象站(可测定4项基本气象要素),已于11月1日起正式开始作雨量观测,其它3项要素将陆续试用和投入业务使用。“地区气象观测资料传输系统”是一个联机系统。日本气象厅在十年前开始研究设计,1972年正式委托日本电话电报公司进行研制。这套联机系统的建成,前后共用了3年时间,投资共达八亿三百万日元。     

连续链钻头的研制工作取得进展——从实验室到野外

美国圣地亚实验室近几年集中力量研制能提高钻进效率、降低成本的四种非常规的新式钻头。其中的一种是与克瑞斯登森金刚石产品公司合作设计的固定头式连续链钻头。这是美国能源部地热能源署倡议的一个项目；是圣地亚实验室为了改进油、气和地热勘探技术进行研制的钻进和测井项目之一。     

根据日月的相对位置研究大气活动中心强度的变化

在著作[1],[2]中指出,根据半球第二区的大气活动中心的研究:西伯利亚高压、极地高压和阿留申低压在寒冷季节中存在着密切的同步相关性关系。并且证明,大气中潮汐或大气外壳的引力变形,显示了年和日的变化,这就形成了预报的基础,该效应表现了行星的特征。引潮力的长周期部分可以扰乱地球高纬度的引力,在大气和海洋所形成的这种现象可以详细分析由这种力的长周期变化的垂直分量所产生的转换部分的重力特征,即具有重力的周期。自然现象起因的相似论述,构成了一种大气过程以及为预报     

The physical process analysis of the capacitance—voltage characteristics of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors

This paper deduces the expression of the Schottky contact capacitance of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs), which will help to understand the electron depleting process. Some material parameters related with capacitance--voltage profiling are given in the expression. Detailed analysis of the forward-biased capacitance has been carried on. The gate capacitance of undoped AlGaN/AlN/GaN HEMT will fall under forward bias. If a rising profile is obviously observed, the donor-like impurity or trap is possibly introduced in the barrier.