氢脉泽磁屏蔽的改进与性能测定

氢脉泽量子振荡器中（F＝1，mF=0）→（F＝0，mF＝0）跃迁是与磁场方有关的，所以希望将外磁场在储存泡处的影响降低到最小。最可行的办法是采用磁屏蔽。实验证明紧凑、同轴柱形的磁屏蔽最有效。本文将给出氢脉泽磁屏蔽的设计考虑与性能测定要求。