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有边界条件的忆阻元件模型及其性质
引用本文:张旭,周玉泽,闭强,杨兴华,俎云霄. 有边界条件的忆阻元件模型及其性质[J]. 海洋学报, 2010, 32(9): 6673-6680
作者姓名:张旭  周玉泽  闭强  杨兴华  俎云霄
作者单位:北京邮电大学电子工程学院,北京 100876;北京邮电大学电子工程学院,北京 100876;北京邮电大学电子工程学院,北京 100876;北京邮电大学电子工程学院,北京 100876;北京邮电大学电子工程学院,北京 100876
基金项目:北京邮电大学大学生创新性实验计划资助的课题.
摘    要:对第四类基本电路元件——忆阻元件的基本特性进行了研究,分别建立了无边界条件和有边界条件的忆阻元件的积分形式的数学模型.对有边界条件的数学模型进行了仿真,分析了有边界条件下电源频率和掺杂比、初始掺杂宽度等模型参数对电流、电压电流关系、磁链电荷关系等元件特性的影响,得出了相关的结论.

关 键 词:忆阻元件  边界条件  数学模型  性质

The mathematical model and properties of memristorwith border constraint
Zhang Xu,Zhou Yu-Ze,Bi Qiang,Yang Xing-Hua and Zu Yun-Xiao. The mathematical model and properties of memristorwith border constraint[J]. Acta Oceanologica Sinica (in Chinese), 2010, 32(9): 6673-6680
Authors:Zhang Xu  Zhou Yu-Ze  Bi Qiang  Yang Xing-Hua  Zu Yun-Xiao
Affiliation:School of Electronic Engineering, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China;School of Electronic Engineering, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China;School of Electronic Engineering, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China;School of Electronic Engineering, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China;School of Electronic Engineering, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China
Abstract:
Keywords:memristor  border constraint  mathematical model  property
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