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杂志ISSN号
半导体器件数值模拟的新方法及理论分析
作者姓名:
谢树森
作者单位:
青岛海洋大学应用数学系
摘 要:
试建立一种半导体器件数值模拟的新方法并给出理论分析。提出混合元逼近位势方程,以提高电场强度的计算精度。采用Laplace修正的向前差分和特征线法对载流子浓度方程施行时间离散近似,并在具有再生核的函数空间中求解。利用再生核函数,得到可显式计算且绝对稳定的计算格式。文中给出近似解的最优阶误差估计。
关 键 词:
半导体方程;再生核函数;特征线法;混合元
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