γ-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)与高岭石层间表面羟基的嫁接反应机理 |
| |
作者姓名: | 杨淑勤 袁鹏 何宏平 刘冬 覃宗华 朱建喜 |
| |
作者单位: | 1. 中国科学院矿物学与成矿学重点实验室广州地球化学研究所,广东广州510640 中国科学院研究生院,北京100049 2. 中国科学院矿物学与成矿学重点实验室广州地球化学研究所,广东广州,510640 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金,中国科学院知识创新工程项目 |
| |
摘 要: | 采用γ-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)对不同有序度高岭石的层间表面羟基进行嫁接反应。应用XRD、FTIR、热分析、元素分析等表征手段对产物进行分析。结果表明:高岭石经过二甲基亚砜(DMSO)预插层后,可与APTES反应得到嫁接产物。在相同反应温度下,由于不同有序度高岭石中的DMSO插层分子脱嵌速率不同,导致嫁接产物在嫁接程度上具有明显差异:有序度高,其嫁接程度高;反之,则嫁接程度低。
|
关 键 词: | 高岭石 有序度 有机硅烷 嫁接 |
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录! |
|