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ZnO压敏陶瓷冲击老化的电子陷阱过程研究
引用本文:尹桂来,李建英,尧广,成鹏飞,李盛涛. ZnO压敏陶瓷冲击老化的电子陷阱过程研究[J]. 海洋学报, 2010, 32(9): 6345-6350
作者姓名:尹桂来  李建英  尧广  成鹏飞  李盛涛
作者单位:西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安 710049;西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安 710049;西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安 710049;西安工程大学理学院,西安 710048;西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安 710049
基金项目:国家自然科学基金(批准号:50747047和50977071)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2009xjtujc06)资助的课题.
摘    要:使用8/20 μs脉冲电流发生器对普通商用ZnO陶瓷压敏电阻片进行了最多5000次的冲击试验.测量了冲击前后试样的电气性能和介电特性,分析了冲击后小电流区的U-I特性和损耗角正切值tanδ随脉冲大电流的不断作用而发生的变化.实验发现压敏电压U1mA随冲击次数的增加经历增大—稳定—减小三个过程.认为正反偏Schottky势垒的中性费米能级的变化是影响样品小电流区的最根本原因.本文提出用试样的非线性系数α作为老化特征参数比传统的U

关 键 词:ZnO压敏陶瓷  非线性系数  冲击老化  压敏电压

Research on electronic process of impulse degradation of ZnO-based ceramics
Yin Gui-Lai,Li Jian-Ying,Yao Guang,Cheng Peng-Fei and Li Sheng-Tao. Research on electronic process of impulse degradation of ZnO-based ceramics[J]. Acta Oceanologica Sinica (in Chinese), 2010, 32(9): 6345-6350
Authors:Yin Gui-Lai  Li Jian-Ying  Yao Guang  Cheng Peng-Fei  Li Sheng-Tao
Affiliation:State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi'an Jiaotong University, Xi'an 710049, China;State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi'an Jiaotong University, Xi'an 710049, China;State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi'an Jiaotong University, Xi'an 710049, China;School Physics of Xi'an Polytechnic University ,Xi'an 710048, China;State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi'an Jiaotong University, Xi'an 710049, China
Abstract:
Keywords:ZnO varistor ceramics  non-linear coefficient  implused degradation  varistor voltage
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