| 退火对B掺杂纳米金刚石薄膜微结构和电化学性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 潘金平,胡晓君,陆利平,印迟.退火对B掺杂纳米金刚石薄膜微结构和电化学性能的影响[J].海洋学报,2010,32(10):7410-7416. |
| |
| 作者姓名： | 潘金平 胡晓君 陆利平 印迟 |
| |
| 作者单位： | 浙江工业大学化学工程与材料学院,杭州 310014;浙江工业大学化学工程与材料学院,杭州 310014;浙江工业大学化学工程与材料学院,杭州 310014;浙江工业大学化学工程与材料学院,杭州 310014 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:50602039, 50972129)和浙江省"钱江人才"计划(批准号:2010R10026)资助的课题. |
| |
| 摘 要： | 采用热丝化学气相沉积法制备B掺杂纳米金刚石薄膜,并对薄膜进行真空退火处理,系统研究了不同退火温度对B掺杂纳米金刚石薄膜的微结构和电化学性能的影响.结果表明,当退火温度升高到800 ℃后,薄膜的Raman谱图中由未退火时在1157,1346,1470,1555 cm-1处的4个峰转变为只有D峰和G峰,说明晶界上的氢大量解吸附量减少;并且D峰和G峰的积分强度比ID/IG值变为最小,即sp2相团簇
|
| 关 键 词： | B掺杂纳米金刚石薄膜 微结构 电化学性能 |
Influence of annealing on the microstructure and electrochemicalproperties of B-doped nanocrystalline diamond films |
| |
| Pan Jin-Ping,Hu Xiao-Jun,Lu Li-Ping and Yin Chi.Influence of annealing on the microstructure and electrochemicalproperties of B-doped nanocrystalline diamond films[J].Acta Oceanologica Sinica (in Chinese),2010,32(10):7410-7416. |
| |
| Authors: | Pan Jin-Ping Hu Xiao-Jun Lu Li-Ping and Yin Chi |
| |
| Institution: | College of Chemical Engineering and Material Science, Zhejiang University of Technology, Hangzhou 310014, China;College of Chemical Engineering and Material Science, Zhejiang University of Technology, Hangzhou 310014, China;College of Chemical Engineering and Material Science, Zhejiang University of Technology, Hangzhou 310014, China;College of Chemical Engineering and Material Science, Zhejiang University of Technology, Hangzhou 310014, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | boron-doped nanocrystalline diamond films microstructure electrochemical properties |
|
| 点击此处可从《海洋学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《海洋学报》下载免费的PDF全文 |
|
