| 铒离子注入6H-SiC的横向离散研究 |
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| 引用本文： | 秦希峰,王凤翔,梁毅,付刚,赵优美.铒离子注入6H-SiC的横向离散研究[J].海洋学报,2010,32(9):6390-6393. |
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| 作者姓名： | 秦希峰 王凤翔 梁毅 付刚 赵优美 |
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| 作者单位： | 山东建筑大学理学院,济南 250101;山东建筑大学理学院,济南 250101;山东建筑大学理学院,济南 250101;山东建筑大学理学院,济南 250101;山东建筑大学理学院,济南 250101 |
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| 基金项目： | 山东建筑大学校内基金(批准号: XN070109)资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用400 keV能量的铒(Er)离子分别与样品表面法线方向成0°,45°和 60°倾角注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015 cm-2 的400 keV Er离子注入6H-SiC晶体的横向离散.测出的实验值与TRIM98和SRIM 2006得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM98和SRIM
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| 关 键 词： | 离子注入 6H-SiC 卢瑟福背散射技术 横向离散 |
| 修稿时间： | 1/5/2010 12:00:00 AM |
Investigation of the lateral spread of Er ions implanted in 6H-SiC |
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| Qin Xi-Feng,Wang Feng-Xiang,Liang Yi,Fu Gang and Zhao You-Mei.Investigation of the lateral spread of Er ions implanted in 6H-SiC[J].Acta Oceanologica Sinica (in Chinese),2010,32(9):6390-6393. |
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| Authors: | Qin Xi-Feng Wang Feng-Xiang Liang Yi Fu Gang and Zhao You-Mei |
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| Institution: | College of Science, Shandong Jianzhu University, Jinan 250101,China;College of Science, Shandong Jianzhu University, Jinan 250101,China;College of Science, Shandong Jianzhu University, Jinan 250101,China;College of Science, Shandong Jianzhu University, Jinan 250101,China;College of Science, Shandong Jianzhu University, Jinan 250101,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ion implantation 6H-SiC Rutherford backscattering technique lateral spread |
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