| 动态反应池电感耦合等离子体质谱仪分析半导体级盐酸中杂质 |
| |
| 引用本文： | 陈建敏,游维松. 动态反应池电感耦合等离子体质谱仪分析半导体级盐酸中杂质[J]. 岩矿测试, 2010, 29(1): I-II |
| |
| 作者姓名： | 陈建敏 游维松 |
| |
| 作者单位： | 珀金埃尔默仪器(上海)有限公司北京办事处,北京,100022 |
| |
| 摘 要： | 盐酸广泛应用于半导体工业。目前,半导体器件设计的线宽更小,因此更易受到低水平杂质的影响。在一些关键工艺中,为达到其所需性能和质量,必须连续监测HCl中的杂质水平。半导体标准SEMI C27-0708中规定了不同等级HCl中含量为10-6~0.1 mg/L的各金属最高污染限量。电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)具有快速、同时测定各类工艺中化学品的超痕量(ng/L)组分能力,使其成为质量控制的不可缺少的分析工具。需要指出的是,在传统的等离子体条件下,氩离子与基质相结合将产生多原子干扰。常见的HCl中观测到的Cl基体干扰,有37Cl1H2对39K的干扰、35Cl16O对51V的干扰、35Cl16O
|
| 关 键 词： | 动态反应池 半导体级 热等离子体 电感耦合等离子体质谱仪 盐酸 干扰 杂质元素 进样系统 质谱仪分析 痕量杂质 |
| 收稿时间： | 2009-11-05 |
| 修稿时间： | 2009-11-06 |
Determination of Impurities in Semiconductor grade Hydrochloric Acid by Inductively Coupled Plasma-Mass spectrometry with Dynamic Reaction Cell |
| |
| GUO Min and LI Ji sheng. Determination of Impurities in Semiconductor grade Hydrochloric Acid by Inductively Coupled Plasma-Mass spectrometry with Dynamic Reaction Cell[J]. Rock and Mineral Analysis, 2010, 29(1): I-II |
| |
| Authors: | GUO Min and LI Ji sheng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《岩矿测试》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《岩矿测试》下载全文 |
|
