硅迁移的重要形式——硅氢化物 |
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引用本文: | 郑大中.硅迁移的重要形式——硅氢化物[J].地质科技情报,2001,20(2):45-45,50. |
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作者姓名: | 郑大中 |
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作者单位: | 成都综合岩矿测试中心, |
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摘 要: | 1 硅氢化物的形成条件及特性由硅变为硅氢化物的条件不苛刻 ,在一定温度、压力下的强还原富氢环境 ,Si,Si O2 ,Si O2 -3 均可形成硅氢化物。Si0 + 2 H2 =Si H4Si O2 + 4 H2 =Si H4 + 2 H2 OSi O2 -3 + 4 H2 =Si H4 + 2 OH-+ H2 O纳米硅、纳米硅合金微粒有很大的比表面积 ,有许多悬空键 ,容易与氢结合形成氢化物 ,也容易与其它单质结合形成合金 ,产生协同氢化反应。Si H4 的熔点为 - 1 85°C,沸点为 - 1 1 1 .8°C,具高挥发性、高扩散性。工业上常利用此特性使之与杂质分离。Si H4 的化学性质很活泼 ,在空气中能自燃 ,甚至发生…
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关 键 词: | 迁移形式 硅氢化物 形成条件 形成机制 地质事件 |
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