西藏错勤—申扎剖面大地电磁测深研究 |
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作者姓名: | 闫永利 马晓冰 陈赟 王光杰 王显祥 兰海强 吕庆田 |
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作者单位: | 1. 中国科学院地质与地球物理研究所,北京 100029;2. 中国地质科学院矿产资源研究所, 北京 100037 |
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基金项目: | 国家重点基础研究发展计划项目(2002CB412604);国家自然科学基金项目(41074079);中国科学院知识创新工程重大项目(KZCX1-YW-15-14)资助 |
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摘 要: | 通过对西藏冈底斯地区错勤—申扎大地电磁测深剖面的研究,揭示了该地区壳幔结构特征.上地壳底界面深度大约20 km,在扎日南木错以西和当惹雍错以东地区分别发育壳幔高导层(体).高导层(体)的中心——电阻率低值区出现在20~40 km深度,其根部可追踪到上地幔.从高导层(体)的发育特征推断:错勤—申扎剖面壳幔高导层(体)是在印度板块与欧亚板块主、晚碰撞阶段地幔热流物质上涌和后碰撞阶段地壳东西向拉张作用下,导致中、下地壳岩石相继发生两期部分熔融的结果.而当惹雍错可能是一条深度可能达到上地幔的深、大断裂.
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关 键 词: | 冈底斯 大地电磁测深 壳幔结构 深断裂 |
收稿时间: | 2011-03-13 |
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