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| 4～10 GHz宽带单片集成低噪声放大器设计 | |
| 引用本文： | 陈莹,李斌.4～10 GHz宽带单片集成低噪声放大器设计[J].中国科学院上海天文台年刊,2011(0). |
| 作者姓名： | 陈莹 李斌 |
| 作者单位： | 中国科学院上海天文台;中国科学院研究生院; |
| 摘 要： | 在单片微波集成电路领域,放大器的设计往往不能兼顾噪声、增益和带宽,通常为达到最佳噪声和增益会限制带宽,或者为增大带宽而牺牲噪声和增益。本文采用稳懋公司0.15μmpHEMT工艺,综合各种因素,设计了一款宽带低噪声放大器电路,其频率范围4～10 GHz,增益约25 dB,噪声温度低于100 K,输入输出回波损耗大于10 dB。 |
| 关 键 词： | 宽带 单片集成 低噪声放大器 pHEMT晶体管 |
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