硅酸盐辉石的晶体化学(中) |
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引用本文: | Maryellen Cameron
,James J.Papike
,沈今川.硅酸盐辉石的晶体化学(中)[J].地质科技情报,1985(2). |
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作者姓名: | Maryellen Cameron James J.Papike 沈今川 |
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摘 要: | 四面体层在端员辉石结构中,含Si的四面体的平均T-O键长为1.618(?)到1.644(?)(表3).四个距离(四面体1.585(?)-1.612(?))中最短的键一般是Si-O2,而最长的键涉及桥接的O3阴离子,只有CaTs和C2/c Li辉石例外.桥键距离的平均值大于非桥键距离的平均值,且在一般情况下两个平均值之差(△)对于具单价阳离子M2的C2/cLi辉石为最小,而对具有二价 M2阳离子的C2/c钙辉石为最大.Pbca和P(21)/c结构的A值介于这两组结构之间。在各种不同的辉石结构间,较短的桥距是与较大的Si-O3-Si(图14)和O3-O3-O3角相关联的.键内的出-Si距离在3.01A和3.13A间变化,在单斜和斜方顽火辉石中高度弯折的B链中存在着最短路
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