| 增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究 |
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| 引用本文： | 王冲,全思,马晓华,郝跃,张进城,毛维. 增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究[J]. 海洋学报, 2010, 32(10): 7333-7337 |
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| 作者姓名： | 王冲 全思 马晓华 郝跃 张进城 毛维 |
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| 作者单位： | 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安电子科技大学微电子学院, 西安 710071;宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安电子科技大学微电子学院, 西安 710071;宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安电子科技大学微电子学院, 西安 710071;宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安电子科技大学微电子学院, 西安 710071;宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安电子科技大学微电子学院, 西安 710071;宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安电子科技大学微电子学院, 西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002)、国家自然科学基金重大项目(批准号:60890191)、国家自然科学基金重点项目 (批准号:60736033)、中国国防科技预研基金(批准号: 51308030102)和西安电子科技大学回国人员创新基金资助的课题. |
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| 摘 要： | 深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500 ℃ N2中退火5 min后,阈值电压由0.12 V正向移动到0.57 V,器件Schottky反向栅漏电流减小一个数量级.F注入增强型AlGaN/GaN HEMT在 400 ℃ N2中退火2 min后,器件阈值电压由0.23 V负向移动到-0.69 V,栅泄漏电流明显增大.槽栅增强型器件退火过程中Schottky有效势垒
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| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管 AlGaN/GaN 增强型器件 |
| 修稿时间： | 2010-02-04 |
High temperature annealing of enhancement-mode AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors |
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| Wang Chong,Quan Si,Ma Xiao-Hu,Hao Yue,Zhang Jin-Cheng and Mao Wei. High temperature annealing of enhancement-mode AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors[J]. Acta Oceanologica Sinica (in Chinese), 2010, 32(10): 7333-7337 |
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| Authors: | Wang Chong Quan Si Ma Xiao-Hu Hao Yue Zhang Jin-Cheng Mao Wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high electron mobility transistor AlGaN/GaN enhancement-mode device |
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