ZnO压敏陶瓷冲击老化的电子陷阱过程研究

使用8/20 μs脉冲电流发生器对普通商用ZnO陶瓷压敏电阻片进行了最多5000次的冲击试验.测量了冲击前后试样的电气性能和介电特性,分析了冲击后小电流区的U-I特性和损耗角正切值tanδ随脉冲大电流的不断作用而发生的变化.实验发现压敏电压U1mA随冲击次数的增加经历增大—稳定—减小三个过程.认为正反偏Schottky势垒的中性费米能级的变化是影响样品小电流区的最根本原因.本文提出用试样的非线性系数α作为老化特征参数比传统的U     

氧化锌压敏电阻直流老化条件下各参数变化规律的研究

针对氧化锌压敏电阻在不同老化条件下各参数变化的规律,根据氧化锌压敏电阻的非线性特征,结合双肖特基势垒理论和氧化锌压敏电阻在小电流区的导电机制,通过大量的试验数据分析得出:氧化锌压敏电阻U1m A和非线性系数α都是随着老化次数的增加而减小;当氧化锌压敏电阻发生融穿性损坏,U1m A和α值急剧减小,ILeakage值急剧增大。通过U1m A和ILeakage等参数的变化规律,用于判断氧化锌压敏电阻的老化劣化程度,在氧化锌压敏电阻的使用及测试中具有参考价值。     

天然闪锌矿原位高温X射线衍射研究

对天然闪锌矿进行了原位高温X射线衍射实验研究,结果表明：闪锌矿受热膨胀,27～675℃温度范围内其膨胀系数为25.61×10-6℃-1;随着温度的升高,在543℃时产生中间物相Zn3O（SO4）2,并分解产生红锌矿ZnO;在797℃时中间物相完全消失,同时出现尖晶石结构的ZnFe2O4;加热至1160℃时的产物为ZnO和ZnFe2O4。实验表明,天然闪锌矿的热改性可产生一定比例的红锌矿（ZnO）,其与闪锌矿一起形成二元复合半导体。在光的激发下,该半导体体系产生的光生载流子由一种半导体注入另一种半导体,降低了光生电子-空穴对的复合几率,提高其光催化活性。本文的研究可为热改性提高天然闪锌矿光催化活性提供理论依据。     

金属氧化物压敏电阻在单脉冲及多脉冲实验中静态参数的变化

文章根据线性链老化、肖特基势垒理论,采用交流热稳定冲击实验,主要分析了金属氧化物压敏电阻在单、多脉冲进行测验的情形下,泄漏电流、压敏电压变化的特征。结果表明:利用金属氧化物压敏电阻进行单、多脉冲进行实验,在实验次数不断增多的情况下,会产生老化;工频电流作用下的金属氧化物压敏电阻,其抗雷电能力和稳定性都会受到不同程度的影响。     

中性点箱位三电平高压变频器的过电压保护研究

本文通过利用ZnO压敏电阻接入位置和接线形式的分析,探讨了中性点箱位三电平高压变频器的过电压保护问题。本文认为将一只ZnO压敏电阻接于逆变部分输入直流母线两端和三只参数相同ZnO压敏电阻三相三角形接法接于逆变部分输出,可以实现对中性点箱位三电平高压变频器的过电压保护。     

两种植物类囊体膜在纳米ZnO 上的组装和光电性质

用水热合成法在掺氟氧化锡(SnO₂: F, FTO)导电玻璃上合成了ZnO 纳米线并用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对其进行了表征。利用LB 膜技术将高等植物菠菜(Spinacia oleracea)和海洋绿藻石莼(Ulva lactuca)的类囊体膜分别固定在纳米ZnO 上组装成光电池, 用太阳能测试系统检测比较了其光电性质。研究表明, 由两种植物的类囊体膜LB 膜组成的光电池都能产生光生电流; 蛋白LB 膜的层数显著影响了光电池的光电转化效率, 随着层数的增加, 光电转化效率大大增加。此外, 石莼类囊体膜组装的光电池光电转化效率明显高于菠菜类囊体膜。     

电涌保护器(SPD)的安全性能分析及其解决措施

介绍了电涌保护器(SPD)的基本作用、基本结构、工作原理及失效原理,并结合限压型SPD中使用的氧化锌压敏电阻的特点,运用理论计算及大量实验数据分析,提出了限压型SPD在使用过程中的关键参数以及与熔断器的匹配方法。     

掺Ga对ZnO电子态密度和光学性质的影响

采用密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势方法,研究了掺Ga对纤锌矿ZnO电子态密度和光学性质的影响.从晶体配位场理论分析了掺Ga前后ZnO的成键情况及态密度的变化.计算得到掺Ga后电子浓度为2.42×10²¹ cm^-3,ZnO的载流子浓度提高了10⁴倍.比较分析掺Ga前后ZnO的介电函数、复折射率、吸收光谱和反射光谱可得,ZnO光吸收边向高能端移动,光学带隙增大.在可见光区,ZnO光吸收系数与反射率减小,光透过率显著提高,使ZnO:Ga成为     

基于回复电压法的ZnO压敏电阻冲击老化诊断

针对如何准确诊断ZnO压敏电阻老化的问题,提出了一种新的诊断方法——回复电压法,通过对ZnO压敏电阻试样进行不同程度的冲击老化试验,并采用多种诊断方法对试样在冲击前后的老化状态进行测量,发现回复电压法同传统的压敏电压以及放电残压变化率法所得的结论相吻合,且回复电压法的主要参数回复电压最大值以及中心时间常数在冲击后呈现下降趋势,这与SEM电镜扫描试验得出的压敏电阻晶粒平均尺寸下降,电导率上升的结论相一致,进一步证明了回复电压法诊断的及时有效性,这对提高ZnO压敏电阻的老化诊断准确度具有一定的参考价值。     

低压配电系统浪涌保护器及雷电浪涌防护

介绍在设备电源线路上安装的低压配电系统浪涌保护器（Surge Protective Device简称SPD）的基本要求及电源保护系统是最常见的元件及浪涌保护器主要的技术参数。为微电子设备及信息系统减少雷电浪涌的危害找出相应的防护措施。