双量子阱结构OLED效率和电流的磁效应

通过结构为ITO/NPB(60 nm)/ Alq₃ ∶1 wt% rubrene(20 nm)/ Alq₃(3 nm)/ Alq₃ ∶1 wt% rubrene(20 nm)/ Alq₃(20 nm)/LiF/Al的双量子阱的黄色有机电致发光器件,研究了不同磁场强度下的发光效率和电流变化特性. 研究结果表明该器件的电流是随着磁场强度的增加而单调下降的,显示了器件的电阻是随着磁场强度的增加而增加的. 同时也得到了该结构有     

PTPD／Alq3异质结掺杂器件载流子的复合与发射

以新型的空穴传输材料PTPD（三苯基二胺衍生物聚合物）制成了ITO（氧化铟锡）／PTPD／AIq3（8-羟基喹啉铝）／Mg：Ag异质结电致发光器件,以高效荧光材料Rubrene（荧烯）为掺杂剂和标志物。研究了异质结掺杂有机电致发光器件载流子的复合区域,并基于电致发光（EL）光谱,认为掺杂器件的发射为载流子陷阱和Fbrster能量转换过程的共同作用。     

PTPD／AIq3异质结掺杂器件载流子的复合与发射

以新型的空穴传输材料PTPD（三苯基二胺衍生物聚合物）制成了ITO（氧化铟锡）／PTPD／AIq3（8-羟基喹-啉铝）／Mg：Ag异质结电致发光器件,以高效荧光材料Rubrene（红荧烯）为掺杂剂和标志物。研究了异质结掺杂有机电致发光器件载流子的复合区域,并基于电致发光（EL）光谱,认为掺杂器件的发射为载流子陷阱和Forster能量转换过程的共同作用。