排序方式： 共有4条查询结果，搜索用时 0 毫秒
1
1.
以新型的空穴传输材料PTPD（三苯基二胺衍生物聚合物）制成了ITO（氧化铟锡）／PTPD／AIq3（8-羟基喹啉铝）／Mg：Ag异质结电致发光器件,以高效荧光材料Rubrene（荧烯）为掺杂剂和标志物。研究了异质结掺杂有机电致发光器件载流子的复合区域,并基于电致发光（EL）光谱,认为掺杂器件的发射为载流子陷阱和Fbrster能量转换过程的共同作用。 相似文献
2.
采用2种复合工艺流程在900°C和950°C制备了适用于低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的Ni-Cu-Zn铁氧体/BaTiO3复合材料。对比研究了不同工艺流程下,烧结温度及助剂用量变化对复合体系烧结性能和电磁性能的影响。900°C烧结时,在铁氧体预烧前添加BaTiO3(工艺流程Ⅱ)制备的复合材料比在铁氧体预烧后添加BaTiO3(工艺流程Ⅰ)制备的复合材料有更高的烧结密度(5.40g/cm3)和Snoek乘积(5.56GHz);950°C烧结时,工艺流程Ⅱ制备的复合材料的介电性能优于工艺流程Ⅰ制备的。 相似文献
3.
以新型的空穴传输材料PTPD（三苯基二胺衍生物聚合物）制成了ITO（氧化铟锡）／PTPD／AIq3（8-羟基喹-啉铝）／Mg：Ag异质结电致发光器件,以高效荧光材料Rubrene（红荧烯）为掺杂剂和标志物。研究了异质结掺杂有机电致发光器件载流子的复合区域,并基于电致发光（EL）光谱,认为掺杂器件的发射为载流子陷阱和Forster能量转换过程的共同作用。 相似文献
4.
为了设计一种结构简单的低压高精度带隙基准电压源,在带隙基准核心电路中加入自启动电路、电容耦合负反馈PSRR增强电路和电阻阵列。再通过数学建模分析实际电路中电阻温度系数对带隙基准源输出精度的影响,给出减弱该影响的调参思路。最后结合该调参思路确定出电路的器件尺寸。仿真结果:0℃~140℃温度范围内,基准电压温度系数为0.62ppm/℃;在低频时电源抑制比为-66.9dB;最低电源电压为1.1V;功耗为453.9uW。结果表明,在设计过程中考虑电阻温度系数,可以在不影响其他参数性能的条件下进一步降低带隙基准电压源的温度系数。 相似文献
1