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研究一种基于BICMOS工艺的高速十位A/D转换器,这种转换器采用二步分区式结构,包含了二个5位的全平行(闪烁型)ADC。在BiCMOS工艺基础上,根据A/D转换器的工作原理、结构特点设计出比较器电路,残差放大器。最后对设计的比较器和残差放大器电路进行仿真,得出比较器瞬态响应突变时间为600ns,残差放大器建立时间为1.5μs、放大增益约为2dB,其性能指标超出了同类器件。 相似文献
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