喜马拉雅西北部逆冲带的地壳电性结构

印度板块北部地形起伏较大的喜马拉雅山地区由几个构造互异的地质单元组成,依地形高、低把喜马拉雅碰撞带分成低喜马拉雅和高喜马拉雅.为了研究与主要逆冲带（含主缝合带MCT和主边界带MBT）有关的地壳电性结构,沿Rohtangpass (海拔4000 m) 到Mandi (海拔400 m)剖面进行了MT探测.通过对16个测点观测资料的分析和考虑地形的二维反演,获得了沿剖面的二维电性结构.电性结构显示,在Chail和主逆冲边界带下方,东西走向的缝合带突然转向北.在下喜马拉雅的Rampur 区段的元古代基底为范围较大的高阻体,而浅部地壳被逆冲带分成向北倾的电导性块体和电阻性块体.Chail 逆冲带东侧低喜马拉雅Rampur 区段的推挤和它西侧的基底脊柱体导致主边界带及相关的逆冲带（Kangra 拐角）向北转弯,Kangra拐角处的应力可能是由于西侧基底脊柱体进入到Kangra 区引起的.     

基于温度和电导的地下水-海水交互作用研究

以中山大学珠海校区滨海水循环综合试验基地2006年12月到2007年3月地下水排泄区井群井水和海水温度、电导数据为基础,计算井水和海水温度平均值及变差系数,发现研究区域地下20m处存在含水层与海洋联通现象。使用混合比(End member mixing analysis,EMMA)、Mallet小波分解重构、互相关计算以及频谱分析等方法,对D5井水中混合海水含量以及海水对D5井作用机制进行研究,结果表明:D5井水中海水所占比例为9%~16%,海水对D5井能量贡献比为31%(其中12%通过海水-井水混合实现,19%通过介质传导实现);D5中海水混合比的变动相对潮汐站水位变化存在5.5h相位延迟,其变化趋势及显著周期大致与潮汐站水位变化情况一致。     

瞬变电磁隧道超前预报成像技术

为解决隧道掌子面前含水带病害快速有效探测问题,尝试把对含水带结构反映敏感的瞬变电磁法引入到隧道掌子面前进行工作.文中介绍了瞬变电磁超前预报的工作装置形式;通过对掌子面特定环境的分析,提出引用“浮动薄板”理论,以二次电导微分参数为特征量建立隧道超前预报成像系统.推导出以等效导电薄板为虚拟像源的磁场响应与电导之间的非线性关系式. 通过引入辅助函数,采用遗传算法求得电导参数.最终以二次电导微分参数绘制成像剖面.对地电模型进行数值模拟和对应用实例进行了成像,结果表明成像方法对隧道掌子面前方水体病害预报效果明显.     

地球深部物质电学性质实验研究

地球深部物质电学性质的实验研究是了解地幔热结构和地幔动力学特征的重要手段之一,已越来越受到地球物理学家的重视。介绍了地球深部物质电学性质实验研究的基本原理、基本方法、电导的影响因素、实验研究的意义和今后的研究方向。     

用瞬变电磁数据精细处理技术探测煤矿采空区

为方便煤田采空区瞬变电磁资料的解释,笔者根据瞬变电磁纵向电导微分成像的原理,编制了集层状模型正、反演、微分电导成像、采集数据预处理以及传统的视电阻率等方法于一体的综合瞬变电磁精细处理解释软件,并将这套软件应用于河南省老窑煤矿采空区的解释和推断工作中。结果表明:该软件处理速度快,成像直观,解释精度高。     

烟圈反演和视纵向电导解释方法对比

基于浮动薄板理论,研究瞬变电磁场层状介质中视纵向电导的计算方法,利用遗传算法代替常用的阻尼最小二乘法来获取关键参数。进行“烟圈”反演计算,并分别采用3层H (K)型和4层HK型地电模型对比视纵向电导曲线和电阻率—深度曲线。结果表明,“烟圈”反演具有不需初始模型、计算简便等优点,在定性反演方面,视纵向电导解释方法可以更准确地划分电性层,且能够比较直观地体现电性变化趋势。      

电导法测定HCl在水和异丙醇混合溶剂中的活度系数

应用电导法测定了HCl在水和异丙醇混合溶剂中的活度系数,讨论了电解质溶液活度系数与温度和浓度的关系。     

电阻抗层析成像的电导网络解法

阻抗ＣＴ技术是通过在物体的边界进行一些电测量来重建内部阻抗分布。本文提出利用网络理论来解决阻抗ＣＴ的一种新的重建方法。首先将非均匀电导分布区域离散化为具有一些节点的电导网络，然后在边界节点上施加一组正交的电流激励，测量感生出的电压。根据网络论，这样就可利用网络的节点方程来进行求解．为求得最符合观测值的节点电导矩阵Ｇ的估计，我们从Ｇ的性质中提取了两类约束，根据广义投影理论，采用施加约束的迭代方法来重建这一反映电导分布的节点电导矩阵Ｇ．计算机模拟表明，迭代是收敛的并且能得到较好的重建结果。     

应变Si电子电导有效质量模型

采用K \5P微扰法建立了应变Si导带能谷由纵、横向有效质量表征的E-k关系,并在此基础上,研究分析了(001),(101),(111)晶面应变Si电子的电导有效质量与应力、能谷分裂能及晶向的关系.结果表明,弛豫Si_1-xGe_x材料(001)面生长的应变Si沿[100],[010]晶向的电子电导有效质量和弛豫Si_1-xGe_x材料(101)面生长的应变