第一原理计算过渡金属掺杂尖晶石型LiMn2O4的电子结构

尽管对过渡金属掺杂锰酸锂后放电平台的升高现象有众多实验研究,但对其机理的研究却鲜见报道.采用第一原理的密度泛函理论,计算了过渡金属M(M=Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn)掺杂尖晶石型LiMn2O4的电子结构,并以此分析放电平台的升高机理.电子态密度分析发现由于M-3d能带的诱导作用,出现了新的O-2p能带,而锂脱出时获得的电子,主要是由费米能级附近O-2p能带提供的.当过渡金属M由Ti变化到Zn时,M-3d能带逐渐向低能量的方向移动,新的O-2p能带出现的位置也随之下移,当Li脱出时,需要更多的能量才能从低能量的O-2p能带上获得电子,因而体系能够获得较高的嵌入电压.     

磁场重联中电子加速问题的物理分析和数值研究

观测表明耀斑中电子加速发生在软X射线耀斑环上方的磁重联区域.在重联电流片中被super Dreicer电场直接加速似乎是产生能量在10keV～10MeV之间高能电子的最直接的方式.本文的结果证明纵向电磁场可以有效地将电子“锁”在重联电流片上,使得横向电场得以直接加速电子.对于解释产生相对论性粒子的脉冲式耀斑,这可能是一个有效的机制.     

基于北斗导航定位技术的通用型自然资源实地调查信息系统研究与实现

首先分析了目前传统外业调绘及外业调绘系统普遍存在的问题,随后提出了一种"基于北斗导航定位技术的通用型自然资源实地调查信息系统"的信息化技术解决方案,并对该方案的设计原则、总体架构进行了描述。最后,详细地分析了该技术方案涉及的关键技术。本文旨在为自然资源实地调查工作带来全新信息化作业模式,提出一套探索思路,贡献一份力量。     

船舶航行安全信息可视化关键技术研究

针对当前NAVTEX和EGC接收机无法实现船舶航行安全信息可视化的问题,提出一种基于电子海图显示与信息系统的船舶航行安全信息可视化方法,研究并解决涉及的若干关键技术。经实践应用表明,该方法可有效解决报文信息存在的效能低、标绘难、非图形化显示等弊端,同时可推动海岸电台进一步发展基于新型通信手段的海上安全信息播发业务。     

邮轮属性评价与品牌定位

以全球最大的邮轮点评网站——邮轮评论家为数据来源渠道,以编辑（Editor/Expert）的文本点评以及对167艘邮轮10大属性的打分数据为样本,利用词频分析、回归分析、聚类分析和方差分析等方法,对全球21个邮轮品牌的产品属性、总体评价以及品牌定位问题进行了系统研究。结果表明,对于专业型游客来说,餐饮、客房和娱乐是关注度最高的船上属性,服务、性价比和公共空间是满意度最高的船上属性,客房、餐饮、公共空间、性价比和娱乐属性对邮轮总评具有显著影响。方差分析表明,与行业界定下的品牌行为相比,基于专业型游客感知的品牌划分更有效。     

S-101电子航海图产品规范1.0.0版要点解析

S-101是基于S-100建立的新一代电子海图产品规范,相比于S-57自身的封闭性、复杂性,S-101设计上更加灵活,易于更新,将对新一代ENC数据生产及ECDIS发展产生深远影响.在查阅S-101最新1.0.0版及S-100、S-101相关研究文章的基础上,将S-101与S-57、S-101开发过程中的草案进行对比分...     

类钠Ni17+离子双电子复合过程理论研究

使用基于相对论多组态方法的FAC程序,研究了类钠Ni¹⁷⁺(3s)离子通过双激发态Ni¹⁶⁺(3pnl,3dnl)(Δn=0激发)的双电子复合过程,得到了态选择的双电子复合截面和速率系数,并与文献中的实验和理论数据进行了对比.结果发现,计算通过3p_3/210l和3p_1/211l共振态的双电子复合积分截面在实验误差范围内与实验测量     

N掺杂SnO2材料光电性质的第一性原理研究

采用全电势线性缀加平面波(full potential linearized augmented plane wave method,简记为FP-LAPW)方法,基于密度泛函理论第一性原理计算分析N掺杂SnO₂材料,研究了在N替代O原子和N替代Sn原子情况下的电子态密度、电荷密度分布以及光学性质.研究表明N掺杂替代Sn较之N掺杂替代O原子的带隙要宽,都宽于SnO₂的本征带隙,且两种情况下N分别处于负氧化态和正氧化态,其介电函数谱也与带隙对应发生蓝移,从理论上指出     

Ga和Sb纳米线声子结构和电子-声子相互作用的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统研究了Ga和Sb纳米线的电子能带结构和声子结构以及电子-声子耦合(EPC)作用.通过对声子的完整Brillouin区分析来研究纳米线的结构稳定性.结果表明,所考察的纳米线显示出不稳定性,不稳定声子波矢远离Brillouin区中心.与通常的Peierls变形机理相比,不稳定的横向声子模会导致一种无开口带隙的相变.Sb比Ga纳米线的EPC要强很多,并且横向变形导致的锯齿形结构使纳米线中的电子-声子相互作用增加了几个数量级.     

增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究

深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500 ℃ N₂中退火5 min后,阈值电压由0.12 V正向移动到0.57 V,器件Schottky反向栅漏电流减小一个数量级.F注入增强型AlGaN/GaN HEMT在 400 ℃ N₂中退火2 min后,器件阈值电压由0.23 V负向移动到-0.69 V,栅泄漏电流明显增大.槽栅增强型器件退火过程中Schottky有效势垒