深度学习神经网络及其在海洋环境信息挖掘预测中的应用

文章介绍了深度学习在时间序列分析挖掘中的应用、深度学习的概况与特征以及深度学习方法的最新国内外应用,特别是在海洋信息挖掘预报中的新应用;给出了典型深度学习神经网络的原理、结构与训练方法,随后给出针对海洋环境信息提出的3种深度神经网络模型;并分析了方法的先进性与可行性。     

APOSOS项目15 cm光电望远镜故障监测方法研究

为了对海外站点和无人值守望远镜进行动态监测,判断望远镜是否处于正常的工作状态,提出了一种联合使用天文定位数据和轴系定位数据对望远镜的运行状态进行动态监测的方法。该方法对观测得到的天文定位与轴系定位数据进行误差计算,对比分析两种数据的误差范围,判断望远镜的工作状态。利用该方法对亚太地基光学空间物体观测系统项目位于伊朗和巴基斯坦的两台15 cm地基光电望远镜的观测数据进行检验,结果发现:其中1台15 cm望远镜轴系定位中方位角存在较大误差,误差在上百角秒,设备存在问题。通过对比此设备在国内与国外两地观测数据的误差,确定了出现问题的时间和地点。观测站工作人员对望远镜出现问题的报告印证了分析结论,证明了方法的有效性。     

苏门答腊裂谷盆地带构造分带及其成藏模式

苏门答腊弧后裂谷盆地带是印尼乃至东南亚最大的油气产区,由于勘探程度高,近十年来勘探成效差,盆地油气发现进入瓶颈期。为了指明苏门答腊弧后裂谷盆地带勘探方向,以盆地带构造演化为主线,以构造带为研究对象,在构造特征、构造对成藏模式控制作用等多方面研究的基础上,预测了苏门答腊盆地带有利勘探领域。根据构造特征分析,苏门答腊弧后裂谷盆地带可划分为近岛弧带、中央反转带和远岛弧带3个构造带。近岛弧带以继承性隆起为构造特征,油气主要通过断裂垂向运移,聚集在局部构造高部位生物礁和背斜之中,近岛弧带为旁生侧储型成藏模式,基底潜山圈闭是近岛弧带未来的勘探方向;中央反转带构造样式为挤压反转的半地堑、铲式正断层,中央反转带油气来自底部深凹陷,上部多层系做储层,垂向断层或侧向砂体发育,沟通烃源岩与圈闭,具有近水楼台的优势成藏条件,为下生上储型成藏模式,该带基底潜山圈闭和源内构造—岩性圈闭也具有较好的烃—运—储匹配关系,可能形成好的油气藏;远岛弧带以单斜构造背景为主,局部发育深洼陷,远岛弧带局部洼陷具有一定的生烃能力,该构造带钻井揭示了地层超覆油气藏,但目前勘探程度较低,尚存在较大勘探潜力。     

基于SODA资料的南海表层风能输入的空间分布与长期趋势研究

海面风不仅是驱动上层海洋运动的主要动力, 其能量也是维持海洋表层流动的主要机械能来源。为了分析南海表层流风能输入的变化, 用SODA(Simple Ocean Data Assimilation)(1901—2010)资料估算了风向南海表层流(表层地转流+表层非地转流)的能量输入。结果表明, 风向南海表层流、表层地转流和表层非地转流输入的能量总体均呈减少趋势, 110年间分别减小了约56%、65%和49%。导致风能输入减小的最主要因素是风应力的减弱(减小了35%)。由于南海受季风系统的控制, 风向表层流及其各成分输入的能量呈现出显著的季节性变化。冬季风能输入最强, 高值区位于南海西部及北部区域, 呈一个显著的“回力镖”状结构。这些结果对深入认识南海环流具有理论意义。     

基于“杂合以治”理论探讨陈大舜和法论治经验

陈大舜教授基于“杂合以治”理论,在杂合各种治疗手段的基础上实行和法论治,有较好的临床优势,疗效肯定。本文从杂合为和法均治、和法复治、和法轻治、和法预治、和法综治5个方面来系统阐述陈大舜教授和法论治的特色。并附验案1则,以资佐证。     

C/N对以消化污泥为碳源的反硝化效果影响

利用初沉池污泥发酵液作为反硝化碳源可实现污泥减量化和资源化,同时可解决污水处理中碳源不足的问题。本研究在C/N为9,8,7,6,5,4,3的条件下,探究了NO-3—N和NO-2—N浓度在反硝化进程中的变化,以及SCOD、VFAs、蛋白质和总糖的利用效率,同时采用三维荧光光谱技术(EEM)结合积分区域法(FRI),分析进出水中各类有机物组分所占比例及利用情况。结果表明,最佳C/N为5,此时NO-3—N的去除率为98.7%,出水中NO-2—N浓度仅为0.2mg/L,SCOD浓度仅为38.2mg/L。初沉污泥发酵液含有大量的VFAs,利用率达96%以上。     

海洋渔场地貌图的设计方法研究

渔场地貌是分析预报渔情、选择渔业作业方式和选用渔具设备的重要依据之一。基于数字高程模型(DEM)和数字晕渲制图等技术,应用ESRI Arc GIS软件系统,通过实验方法选定DEM插值算法及阴影光源参数,制作了表现海底地形起伏变化特征及鱼类生物资源分布状况的渔场地貌图,实现了多源、多维和异构数据的融合。作为一项探索性工作,期望设计成果能够为今后相关产品的研发和应用提供有益借鉴。     

The physical process analysis of the capacitance—voltage characteristics of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors

This paper deduces the expression of the Schottky contact capacitance of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs), which will help to understand the electron depleting process. Some material parameters related with capacitance--voltage profiling are given in the expression. Detailed analysis of the forward-biased capacitance has been carried on. The gate capacitance of undoped AlGaN/AlN/GaN HEMT will fall under forward bias. If a rising profile is obviously observed, the donor-like impurity or trap is possibly introduced in the barrier.     

Stable 85Rb micro vapour cells: fabrication based on anodic bonding and application in chip-scale atomic clocks

We describe the microfabrication of ⁸⁵Rb vapour cells using a glass-silicon anodic bonding technique and in situ chemical reaction between rubidium chloride and barium azide to produce Rb. Under controlled conditions, the pure metallic Rb drops and buffer gases were obtained in the cells with a few mm³ internal volumes during the cell sealing process. At an ambient temperature of 90 ℃ the optical absorption resonance of ⁸⁵Rb D1 transition with proper broadening and the corresponding coherent population trapping (CPT) resonance, with a signal contrast of 1.5% and linewidth of about 1.7 kHz, have been detected. The sealing quality and the stability of the cells have also been demonstrated experimentally by using the helium leaking detection and the after-9-month optoelectronics measurement which shows a similar CPT signal as its original status. In addition, the physics package of chip-scale atomic clock (CSAC) based on the cell was realized. The measured frequency stability of the physics package can reach to 2.1×10^-10 at one second when the cell was heated to 100 ℃ which proved that the cell has the quality to be used in portable and battery-operated devices.