西折台风的诊断研究

利用欧洲中心格点场资料，对１９８０－１９９２年９例北上西折台风进行诊断分析。结果表明，当达到一定强度的台风西折时，其移动路径左前侧常有暖平流增强，水汽通量辐合增大，不稳定层结加强，高空辐散和整层气旋性环流增强，以及在这些物理变量中心增大区的相迭区有整层降高中心，从而引起台风向负变高中心移动。     

湿大气中低涡暴雨系统发展东移的初步分析

七十年代,谢义炳教授指出:湿大气动力学和干大气动力学特征有明显差异。结合我们的天气实践,注意到经常造成鄂北强降水的西南低涡处于对流层低层,在这一层次内不仅流场辐合明显,而且水汽丰沛,空气为强烈的对流性不稳定,这些因子对低涡的生消移动必然有较大的影响。本文的目的是,引入水汽因子后,通过简化涡度方程在湿斜压大气中的应用,并考虑湿静力稳定度σ_m既为P的函     

云南地区上地幔各向异性研究

对云南23个数字地震台11次地震的SKS记录，采用理论切向分量与实测切向分量拟合的方法，确定了快S波的偏振方向和快、慢波之间的时间延迟．结果表明，除鹤庆台外，在各台都观测到了S波分裂现象；云南地区的快方向总体特征是北北东向，时间延迟变化范围为0.5～2.0ｓ．在地质构造复杂地区断层对分析的影响很大．分析表明，作为青藏高原与华南块体之间的过渡带，云南地区的S波快方向反映了印度板块向欧亚板块俯冲是该地区地球动力学的基本背景，而由于青藏高原隆起造成的康滇菱形块体的南东-南南东向运动是造成复杂构造、应力环境的重要因素．快方向与上地幔运动的方向存在差异，说明在云南地区低速层或者软流层的运动与地壳块体的运动之间存在着复杂的耦合作用，构造驱动力如同向北东方向张开的手掌．从时间延迟出发，推断各向异性层的厚度为60～225ｋｍ．其变化范围与低速层埋深的变化范围（104～260ｋｍ）相当，认为各向异性层顶面可能在地壳底部，也可能在低速层，且在不同地点是不相同的，这与云南及周边地区莫霍面变化剧烈有因果关系．进一步推断出上地幔的各向异性主要存在于岩石圈而不是整个上地幔．      

城市社区中心空间特征及其影响要素研究——以杭州市西湖区为例

以杭州市西湖区为实证,采用高德地图POI数据,通过DBSCAN聚类识别459个社区中心,从空间布局、组织形式、空间关联3方面入手刻画其空间特征,在此基础上通过Logistic回归判断中心数量、能级的影响因素,研究表明:① 社区中心分布呈现空间集聚性和“一区多片”的整体结构,具有圈层分布和道路亲缘性特征。② 社区中心存在“强-弱”的中心网络结构,在小尺度上则由强弱中心互补形成团簇,并在社区层面形成功能较为完整的网络结构。③ 社区中心内公共服务有引领性作用,能促进社区中心形成,且中心内设施具有同类集聚的特征。④ 常住人口总量是最主要的影响要素,道路分割、户籍比、平均高程、社区组织类型对中心的形成有显著意义,人口密度、公司企业数等对中心数量与能级有重要影响。     

浅层地震勘探震源性状探讨

该文通过某浅层地震勘探工程在不同的场地条件下采用的几种震源方式所得到的资料,探讨震源的性状和使用。     

川滇次级地块震源机制解类型与一致性参数

根据P波、S波的振幅并结合部分记录清晰的P波初动资料,求得1994——2005年川滇地区4个次级地块,即川青地块、雅江地块、川中地块和滇中地块2.5级以上有良好地震波记录的925次地震的震源机制解. 结合已取得的中强地震的震源机制解资料,研究了上述4个次级地块的应力场特征及震源断层的错动类型. 其P轴优势方位分布:川青地块为EW方向,雅江地块、川中地块、滇中地块为ESE或SE方位. 根据大量震源机制解资料, 编程计算了各地块的平均应力张量, 即主应力sigma;1, sigma;2, sigma;3的方向. 定义了单个震源机制解的力轴与平均应力张量的差异, 或称震源机制解的一致性参数, 进而分析了川滇4个次级地块的值和震源断层错动类型的分布及随时间的变化. 通过次级地块大量区域小震震源机制解的测定,可以给出动态应力场和震源断层错动方式的变化信息.      

激发极化法测深曲线解释中的快速反演法

本文根据“直流电阻率测率深曲线解释中的直接反演法”一文,利用塞格尔的极化率模型,首先给出了在激发极化法测深曲线解释中的直接反演方法,在此基础上,又结合Ｏｌｄｅｎｂｕｒｇ,Ｚｏｈｄｙ等人的工作,使用对比迭代反演方法来提高反演精度,文章对几条理论测深曲线进行反演检验,结果表明效果很好。     

亚热带河口区对虾养殖池塘浮游植物初级生产力变化

浮游植物初级生产力是评估水产养殖系统结构与功能的基础环节,对渔业资源的开发与管理具有重要意义.于2018年5-10月,采用黑白瓶法对闽江河口区的3个南美白对虾养殖塘(Pond Ⅰ、Pond Ⅱ和Pond Ⅲ)水体浮游植物初级生产力进行了原位监测,初步研究了初级生产力在池塘间的差异性及其时间变化特征.结果显示,养殖期间养...     

Thermal activation of current in an inhomogeneous Schottky diode with a Gaussian distribution of barrier height

This paper investigates the thermal activation behaviour of current in an inhomogeneous Schottky diode with a Gaussian distribution of barrier height by numerical simulation. The analytical Gaussian distribution model predicted that the I--V--T curves may intersect with the possibility of the negative thermal activation of current, but may be contradictory to the thermionic emission mechanism in a Schottky diode. It shows that the cause of the unphysical phenomenon is related to the incorrect calculation of current across very low barriers. It proposes that junction voltage V_j, excluding the voltage drop across series resistance from the external bias, is a crucial parameter for correct calculation of the current across very low barriers. For correctly employing the thermionic emission model, V_j needs to be smaller than the barrier height Ф. With proper scheme of series resistance connection where the condition of V_j > Ф is guaranteed, I--V--T curves of an inhomogeneous Schottky diode with a Gaussian distribution of barrier height have been simulated, which demonstrate normal thermal activation. Although the calculated results exclude the intersecting possibility of I--V--T curves with an assumption of temperature-independent series resistance, it shows that the intersecting is possible when the series resistance has a positive temperature coefficient. Finally, the comparison of our numerical and analytical results indicates that the analytical Gaussian distribution model is valid and accurate in analysing I--V--T curves only for small barrier height inhomogeneity.     

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