首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   16篇
  免费   3篇
  国内免费   5篇
测绘学   3篇
大气科学   2篇
地球物理   2篇
地质学   11篇
海洋学   2篇
自然地理   4篇
  2024年   1篇
  2023年   4篇
  2022年   1篇
  2021年   2篇
  2020年   1篇
  2018年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   1篇
  2011年   1篇
  2010年   2篇
  2009年   1篇
  2008年   1篇
  2005年   2篇
  2004年   1篇
  1988年   1篇
  1987年   1篇
  1986年   1篇
  1985年   1篇
排序方式: 共有24条查询结果,搜索用时 0 毫秒
21.
乌奴格吐山斑岩铜钼矿床地质特征及成矿模式   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
乌奴格吐山斑岩铜钼矿床是燕山晚期中酸性岩浆多次活动的产物。矿床的成矿母岩是同源异期多阶段形成的四个二长花岗斑岩小岩体,岩体的直接围岩是燕山早期黑云母花岗岩。矿床形成于斑岩活动晚期。由于富含成矿元素及挥发组分的中高温气液流体,引起斑岩体及其外接触带普遍遭受蚀变而产生多种蚀变类型,它们以斑岩体为中心呈环状分布。铜钼矿体主要赋存于石英绢云母化带,次为钾长石化带。  相似文献   
22.
宋捷  郭艳青  王祥  丁宏林  黄锐 《海洋学报》2010,32(10):7378-7382
利用等离子体增强化学气相沉积技术,在高氢稀释条件下,研究不同激发频率对纳米晶硅薄膜生长特性的影响.剖面透射电子显微镜(TEM)分析结果显示,不同激发频率下制备的纳米晶硅薄膜晶化区均呈锥状结构生长,但13.56 MHz激发频率下制备的纳米晶硅薄膜最初生长阶段存在非晶态孵化层,即纳米晶硅薄膜的形成经历了由非晶态孵化层到晶态结构层的转变.而高激发频率(40.68 MHz)下硅纳米晶则能直接在非晶态衬底上生长形成.Raman谱和红外吸收谱测量结果表明高激发频率(40.68 MHz)下制备的纳米晶硅薄膜不但具有较高  相似文献   
23.
陈港  陈懋弘  葛锐  李杨林  王昱  庞宏海  黄锐  吴启强 《地质通报》2023,42(11):1854-1874
镇龙山岩浆热液成矿系统位于广西"山字形构造"前弧一个较大的短轴背斜构成的穹窿中,矿床(点)主要赋存于寒武系和泥盆系碎屑岩中。为探讨各矿床(点)之间的成因联系,在野外调查的基础上,对典型矿床进行了流体包裹体测温、激光拉曼及氢-氧-硫同位素研究。研究结果表明,包裹体主要为水溶液、气液两相包裹体,且含CO2和CH4包裹体较多,偶见含NaCl子晶的包裹体。高温矿床均一温度为320~339℃,盐度为8%~9% NaCl eqv;中温矿床均一温度为280~299℃,盐度为7%~8% NaCl eqv;低温矿床均一温度为160~179℃,盐度为5%~6% NaCl eqv。石英中流体包裹体δDV-SMOW集中在-55‰~-80.1‰之间,δ18OV-PDB集中在-9.1‰~-18.8‰之间,氢-氧同位素图解主要落在岩浆水的范围内,并有向大气降水偏移的趋势,表明上述矿床流体的主要来源可能是岩浆水,后期有大气降水的混入。单矿物的硫同位素峰值集中在-2‰~2‰之间,其中毒砂以正值为主,辉锑矿以负值为主,总体具有相对均一的硫源,说明硫化物中的硫均来自岩浆。上述研究表明,镇龙山地区矿床(点)分布具有明显的岩浆-热液成矿系统的分带特点,岩体及其边缘发育斑岩型高温热液矿床,外围逐渐过渡到中温和中低温热液矿床,建立了镇龙山地区岩浆热液成矿系统的水平和垂直矿化分带模型。  相似文献   
24.
为研究旅游交通事故严重程度的引致因素,以全国3861起旅游交通安全事故为研究对象,在分析其时空分布特征的基础上,进一步将旅游交通事故严重程度作为因变量,车辆类型、路段类型、天气情况等12个因素为自变量,并借助有序多分类Logistic回归模型探究旅游交通安全事故严重性的引致因素。结果表明:①2010—2019年全国各等级旅游交通事故均呈现波动下降趋势(;2)旅游交通事故严重性等级呈现异质性分布特征,高发区主要集中于云南、湖南等地;③人员、车辆、道路、管理和环境五类引致因素与旅游交通事故严重程度显著相关,且其与各省域的联系强度差异是导致事故严重程度呈异质性分布的重要原因。研究结果有助于揭示全国旅游交通安全事故结果的特征及成因,为完善旅游交通安全管理提供理论依据。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号