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黄、东海陆架区悬浮体输运的时空变化规律 总被引:54,自引:5,他引:54
利用NOAA卫星1995年1月-1997年2月的海洋遥感资料系统的分析和研究了黄、东海陆架区悬浮体向深海输运的时间和空间变化规律,并对其动力机制进行了分析和探讨,研究结果表明,黄、东海悬浮体在11-3月份向外海输运阶段,5-9月份则同近海为内储阶段,4月份为输变退的月份,10月份则是退变输的月份,其中3月份黄、东海悬浮体向东海深海输运得最远,9月份则向岸退得最远;黄、东海表面悬浮体向东海的输运范围一般皆位于100m等深线以内,并很难越过黑潮水系,而输向深海的悬浮体又大都在黄海暖流的作用下回输黄海,其大部输向韩国西南海域。 相似文献
926.
鞘藻属和毛鞘藻属营养细胞分裂方式的比较研究 总被引:1,自引:0,他引:1
于 1 999年 7月在湖北省仙桃市湿润土壤中采得一种鞘藻 ,经培养和电镜观察 ,发现该株鞘藻营养生长主要依赖位于丝状体最上面的细胞分裂 ,分生出的子细胞在该细胞亚顶端的胞壁破裂点掀开一个帽子 ,此帽子便附着于细胞侧壁上 ,这在鞘藻属中为首次报道 ,与 2 0 0 0年 1 2月在武汉纸坊青龙山水库采得的一种毛鞘藻的基细胞也附着相同的帽子结构。观察结果表明 ,该属基细胞亦具有明显的居间分裂能力。在观察这两属营养细胞居间分裂的同时 ,详细报道了这一种特殊的细胞分裂———顶端分裂 ,详细比较了这两属的营养细胞分裂方式 ,并对其分裂方式的机制进行探讨。结果表明 ,这两属细胞在细胞分裂方式上有极为亲密的亲缘关系 ,但毛鞘藻属更复杂、独特的营养细胞分裂显示它的进化地位比鞘藻属高。 相似文献
927.
对南海南部25个表层沉积样进行了生物硅的测定分析,试图揭示南海南部表层沉积生物硅的分布及其对现代海洋环境的指示意义,以便为古海洋学研究提供进一步的科学依据。研究发现,表层沉积物中生物硅含量与其所处水深呈显著正相关关系,相关系数达到0.782。陆架浅水区表层沉积物中生物硅含量非常低,不能反映表层水体中硅质生物生产力情况,这可能与沉积类型和陆源物质输入影响有关。深水区表层沉积物中生物硅的含量分布表明,其不仅能反映出表层水体中硅质生物的古生产力水平,而且还能指示上升流的强弱,从而进一步证实了利用沉积物中生物硅含量来追踪上升流发育和变化的有效性与可信度。研究结果还显示,在研究区域中北部表层沉积生物硅中放射虫和海绵骨针较硅藻占有更大的比重,这可能是由于硅藻易被溶解并易被其他生物体摄食的缘故。在有上升流发育的海域,放射虫、硅藻和海绵骨针基本上均表现出较高的丰度,这与高的生物硅含量相一致。 相似文献
928.
采用5 mg/kg 17β-雌二醇对大菱鲆(Scophthalmus maximus)进行肌肉注射,一周后尾静脉取血,离心分离获得血浆,经Sephacryl S-300(高分辨)分子筛纯化卵黄原蛋白,对卵黄原蛋白进行常规聚丙烯酰胺凝胶电泳,考马斯亮蓝染色和糖、磷、脂的特征性基团染色.结果表明,17β-雌二醇能诱导大菱鲆产生卵黄原蛋白,以N-ative-PAGE方法计算得到大菱鲆卵黄原蛋白的分子质量为538 ku,以SDS-PAGE方法得出其两种亚基的分子质量分别为100 ku和82 ku.分子筛凝胶过滤能较好地纯化大菱鲆血浆中的卵黄原蛋白. 相似文献
929.
以海鞘(Ciona savignyi)为研究对象,考察了海鞘血细胞原代培养方法及培养中细菌污染的鉴定和控制.血细胞在培养1 h后贴壁,细胞基本以圆形细胞为主,变形细胞一般呈不规则形.变形细胞存活时间较短,而圆形细胞存活时间较长.对于培养过程中的细菌污染,通过细菌分离、培养和纯培养发现两类菌株检出率较高,均为革兰氏阴性菌.经PCR扩增16S rDNA基因序列片断,结果显示这两类菌株分别属于弧菌属(Vibrio)和施万氏菌属(Shewanella).药敏试验结果显示,弧菌属对氯霉素和环丙沙星等具有较强的敏感性;对施万氏菌属较敏感的药物依次为亚胺培南和氯霉素等.最后比较了几种抗生素组合控制血细胞培养中细菌污染的使用效果,其中氯霉素、亚胺培南加双抗的组合有较好的抑菌效果并对培养细胞的贴壁和生长没有影响. 相似文献
930.
In this paper AlGaInP light emitting diodes with different types of electrodes: Au/Zn/Au-ITO Au/Ti-ITO Au/Ge/Ni-ITO and Au-ITO are fabricated. The photoelectricity properties of those LEDs are studied. The results show that the Au/Zn/Au electrode greatly improves the performance of LEDs compared with the other electrodes. Because the Au/Zn/Au electrode not only forms a good Ohmic contact with indium tin oxide (ITO), but also reduces the specific contact resistances between ITO and GaP, which are 1.273×10-6 Ω · cm2 and 1.743×10-3 Ω ·cm2 between Au/Zn/Au-ITO and ITO-GaP respectively. Furthermore, the textured Zn/Au-ITO/Zn electrode is designed to improve the performances of LEDs, reduce the forward-voltage of the LED from 1.93 to 1.88 V, and increase the luminous intensity of the LEDs from 126 to 134 mcd when driven at 20 mA. 相似文献