OMS平台模型的服务化封装方法研究

以OMS平台模型为研究对象,提出了一种地理分析模型服务化封装策略,以减少在模型提供者和模型使用者之间共享模型时遇到的障碍。通过设计模型描述接口、模型执行接口和模型部署接口,实现OMS平台模型的封装策略,形成标准化部署包。相关部署包可以部署到模型服务容器上,并发布为网络空间可重用共享的服务,以支撑分布式模型集成与模拟。本文以OMS平台下的AgES-W模型为案例,验证了模型封装策略的可行性和实用性,为网络环境下模型共享与集成奠定了基础。     

喹烯酮与鸡鸭血浆蛋白结合率的检测

建立检测鸡鸭血浆中喹烯酮的方法,并测定其与鸡鸭血浆蛋白的结合率。采用平衡透析法测定喹烯酮的血浆蛋白结合率;血浆样品采用乙腈沉淀蛋白后用HPLC测定喹烯酮含量,同时采用HPLC测定透析外液中喹烯酮的含量,计算喹烯酮的血浆蛋白结合率,并对检测方法的方法学进行验证。建立的测定鸡鸭血浆中喹烯酮的方法,喹烯酮添加浓度为0.3、1和2μg/mL时,回收率范围为86.5%~92.2%,相对标准偏差均低于5%。喹烯酮在不同浓度的鸡鸭血浆中的平均蛋白结合率分别为40.53%±1.09%和46.88%±1.25%。喹烯酮药物浓度在0.5~8μg/mL的浓度范围内其血浆蛋白结合率无显著差异,其蛋白结合呈现非浓度依赖性。上述结果表明,喹烯酮在鸡鸭中应用时不易发生血浆蛋白结合介导的药物相互作用,药物的安全性较高。     

登封群的定年及其划分问题的探讨

对登封群人们先后采用过K—Ar、Rb-Sr、U—Pb、单颗粒锆石Pb-Pb、Sm—Nd等多种同位素定年方法。由于不同方法得到的结果差别很大,直接影响了对登封群的认识,因而对登封群出现了多种划分方案。本文综合分析后认为,登封群花岗-绿岩地体形成于新太古宙末期(2500～2600Ma),难以划分出元古代的地层单元。另外,对已有的同位素测年成果使用上要结合样品的地质、地球化学特征进行具体分析,才能得出合理的解释。     

中国地质灾害系统层次分析与综合灾度计算

本文在总结新中国成立以来中国地质灾害基本情况的基础上、参照系统工程理论与方法，建立以综合灾度为指标的地质灾害综合评价的系统层次结构模型和计算的数学模型；以经纬度2.5°×2.5°为计算单元，计算得出不同地区的地质灾害程度指数和综合灾度指数；以此为基础，分析了中国地质灾害区域分布规律和发展趋势。     

中国对虾(Fenneropenaeus Chinensis)自然感染与人工感染WSSV抗病力的比较

取30个通过人工授精和自然交尾建立的中国对虾家系,分别进行人工感染和自然感染实验。实验过程中,两实验组样本总体存活率在35%左右时统计各家系的存活率,以分析其抗白斑综合征病毒情况。用四格表的卡方检验分析中国对虾各家系存活率,结果发现23个家系的存活率在两种感染方式实验间差异不显著(P0.05),两种感染方式实验间家系存活率一致性为77%。用独立样本T检验对两种感染方式实验中4个杂交组合的存活率进行比较,结果发现4个杂交组合的存活率在两种感染方式实验间差异不显著(P0.05),说明人工感染和自然感染实验对中国对虾抗病力的反映情况基本是一致的。另外,对两个实验中各家系的抗病力进行分析,综合结果表明有5个家系对WSSV可能有较强的抗病力。     

潮河口邻近海域氨基脲污染现状调查研究

采用超高效液相色谱-串联质谱法,对山东东营潮河入海口邻近海域海水、沉积物及贝类体内氨基脲污染状况进行了调查研究。结果表明,潮河入海口邻近海域海水中氨基脲的浓度为0.18—70.6μg/L,沉积物中浓度为0.26—18.9μg/kg,生物体内含量为0.82—6.46μg/kg,与作者调查的其它海域相比,污染最为严重。氨基脲在潮河口邻近海域海水、沉积物和生物体内浓度都沿潮河向下呈放射性递减分布,说明潮河是污染的主要来源。本研究同时对不同品种生物体对氨基脲富集差异进行了比较,发现不同品种生物体对氨基脲的富集能力不尽相同。     

增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究

深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500 ℃ N₂中退火5 min后,阈值电压由0.12 V正向移动到0.57 V,器件Schottky反向栅漏电流减小一个数量级.F注入增强型AlGaN/GaN HEMT在 400 ℃ N₂中退火2 min后,器件阈值电压由0.23 V负向移动到-0.69 V,栅泄漏电流明显增大.槽栅增强型器件退火过程中Schottky有效势垒     

Parameter analysis for gate metal—oxide—semiconductor structures of ion-implanted 4H silicon carbide metal—semiconductor field-effect transistors

From the theoretical analysis of the thermionic emission model of current--voltage characteristics, this paper extracts the parameters for the gate Schottky contact of two ion-implanted 4H-SiC metal--semiconductor field-effect transistors (sample A and sample B for three and four times multiple ion-implantation channel region respectively) fabricated in the experiment, including the ideality factor, the series resistance, the zero-field barrier height, the interface oxide capacitance, the interface state density distribution, the neutral level of interface states and the fixed space charge density. The methods to improve the interface of the ion-implanted Schottky contact are given at last.