24~30 GHz GaN HEMT单片集成单刀双掷开关

本文研究了一种基于100 nm氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺设计的24~30 GHz单片集成单刀双掷（SPDT）开关.该开关采用1/4波长微带线并联HEMT开关器件的结构，通过采用两级并联HEMT实现低插入损耗同时获得更好的隔离度.测试结果显示，在24~30 GHz的5G毫米波频段内以及0/-5 V的控制电压下，该开关的插入损耗低于1.5 dB，隔离度优于28 dB，输入功率1 dB压缩点大于27 dBm.测试结果能够很好地验证仿真结果.     

基于变压器反馈的平坦噪声系数超宽带CMOS低噪声放大器

在系统中集成超宽带（UWB）收发机芯片用于支持室内定位正成为移动通信终端技术发展的一个重要趋势.在超宽带收发机中,低噪声放大器（LNA）是一个核心功能模块.超宽带的全频段（3.1~10.6 GHz）覆盖要求给低噪声放大器的设计带来了巨大挑战,尤其是需要在宽带匹配及在带内维持平坦的噪声系数的情况下.传统的低噪声放大器架构应用在超宽带设计时,噪声、增益和输入匹配之间存在较明显的性能折中关系,因此无法达到良好的综合性能指标要求.本文采用基于变压器反馈的输入匹配的第一级架构和多功能第二级输出驱动结构,实现了平坦的噪声系数和高增益等性能.基于TSMC 65 nm工艺设计的电路仿真结果表明,该低噪声放大器在3.1~10.6 GHz全频段内,可实现输入匹配S₁₁<-10 dB,增益>17 dB,噪声系数2.71±0.28 dB,1-dB压缩点-17.5 dBm等指标,电路整体功耗为32.8 mW.因此,综合性能Ⅰ（FoM-Ⅰ）和综合性能Ⅱ（FoM-Ⅱ）分别可达2.32和0.41.     

微波高功率固态放大器技术综述

微波集成电路在民用和军用电子中起到至关重要的作用.在微波集成电路领域,高功率的功率放大器为发射机提供足够的信号功率输送到自由空间中,是其不可缺少的关键部件.基于学术研究和商用产品线情况,综述了微波功率放大器芯片的发展情况.首先讨论了各种微波毫米波功率放大器的制造技术,按照半导体器件可以归类为砷化镓、氮化镓、互补金属氧化物半导体和锗化硅等;接着讨论了微波芯片功放的设计技术用以满足高功率、宽带和高效率的指标要求;最后总结了各类微波固态功率放大器的工艺和设计技术,为芯片设计人员提供了全面的设计参考.