用于太阳射电快速记录系统中的微带功率晶体管放大器的研制

本文介绍了云南天文台微带功率晶体管放大器在太阳射电快速记录系统中的设计原理和技术性能，并给出了放大器的线路图和最初的测量结果。     

高性能隔离分配放大器的研制与测量

论述了现代精密时频系统对隔离分配放大器的技术要求及其重要作用,介绍了为改进我台守时系统标准频率分配子系统而研制的一个高性能隔离分配放大器。对于５ＭＨｚ信号,该分配放大器的反向隔离度和路间隔离度均优于１１５ｄＢ;相位噪声在１Ｈｚ达到－１３５ｄＢｃ／Ｈｚ;噪声本底为１５０ｄＢｃ／Ｈｚ;插入秒稳损失达到１０＾－１３量级。在１３ｄＢｍ输出情况下,谐波小于－４０ｄＢｃ。对该分配放大器的主要性能测试涉及的测量     

射电天文4—40GHz超宽带低噪声放大器设计

超宽带接收机面临众多技术挑战,而关键技术难点之一是超宽带低噪声放大器.采用以砷化镓材料为基底的70 nm栅长改性高电子迁移率晶体管和双电源偏置4级放大电路结构,设计了一款4–40 GHz超宽带低噪声单片微波集成放大器,完整覆盖C、X、Ku、K、Ka共5个波段.设计仿真结果表明,该放大器增益为(40±2.5) dB,常温下噪声温度平均95 K, 4–12.5 GHz噪声温度全频带低于83 K,直流功耗130.5 mW.整个频带内输入反射系数典型值-10 d B,输出反射系数典型值-15 d B,全频带范围内稳定,无自激振荡现象.该器件可做为前置放大器,应用于超宽带接收机和大规模多波束接收机中,可有效提高射电望远镜观测效率.     

一种小型频标分配放大器

为了满足现有时频系统对分配放大器的要求,设计了一种小型频标分配放大器。该小型放大器带宽范围1MHz～100MHz,有1个输入,4个输出,采用一种电流反馈型、超宽带集成运算放大芯片CLC449。测试结果表明:二次谐波<-50dBc;路间隔离度为92.5dB;反向隔离度为105dB;相位噪声从100Hz开始趋于平稳,约-155dBc,满足时频系统的要求。最后提出了一些改进建议。     

2～18 GHz超宽带低噪声放大器芯片研制

低噪声放大器在射电天文望远镜接收机中是一个重要的前端组件,其性能对接收机的灵敏度和噪声有至关重要的影响。采用OMMIC公司70 nm GaAs mHEMT工艺研究和设计了一款工作频率为2~18 GHz的超宽带单片微波集成低噪声放大器芯片,芯片面积为2 mm×1 mm。放大器电路采用三级级联放大、双电源供电拓扑结构,常温在片测试结果显示,全频带增益大于28 dB,噪声温度平均值为93 K,直流功耗150 mW,无条件稳定。该放大器芯片覆盖了射电天文S,C,X,Ku 4个传统观测波段,适用于厘米波段超宽带接收前端和毫米波段超宽带中频放大模块。     

基于砷化镓晶体管的1.35～2.0GHz低噪声放大器

低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA)是接收机系统的关键器件,其性能决定了接收机系统的噪声温度和对微弱射电信号的放大能力。采用Avago公司砷化镓(GaAs)工艺的pHEMT ATF-54134研制了一款可工作在1.35～2.0 GHz频率范围内的低噪声放大器。该放大器采用两级拓扑结构,单电源自偏置供电,典型增益28 dB,典型噪声温度35 K,输入回波损耗优于-10 dB,输出回波损耗优于-15 dB,输入1 dB压缩点为-13 dBm。该放大器除了可用于对中性氢、脉冲星和羟基进行观测的射电望远镜接收机以外,还可用于电波环境监测系统。     

低噪声区分放大器的研制与笥能测试

3MHz区分放大器有天,VLBI接收机,国防科研中有广泛的应用,研制成功的5MHz区分放大器在相位噪声和隔离度上分达到了频期效果,相位噪声的插入损耗小于3dB,隔离度大于60dB,并且保持了氢频标信号的稳定度,还可用于长线传输,因此比较好的满足了时频系统,特别是主稳定本振系统的使用要求,而且有着良好的应用前景。     

4～10 GHz宽带单片集成低噪声放大器设计

在单片微波集成电路领域,放大器的设计往往不能兼顾噪声、增益和带宽,通常为达到最佳噪声和增益会限制带宽,或者为增大带宽而牺牲噪声和增益。本文采用稳懋公司0.15μmpHEMT工艺,综合各种因素,设计了一款宽带低噪声放大器电路,其频率范围4～10 GHz,增益约25 dB,噪声温度低于100 K,输入输出回波损耗大于10 dB。     

Ku波段宽带低噪声放大器的关键技术研究

低噪声放大器LNA(Low Noise Amplifier)是射电天文接收机的重要组成部分,其等效噪声温度决定了接收机的灵敏度。该文介绍了一种宽带Ku波段低噪声放大器的设计原理和方法,并给出了仿真结果。该放大器采用NEC公司的NE3210S01高电子迁移率场效应晶体管HEMT(High E-lectron Mobility field-effect Transistor)三级级联结构。在11～13GHz范围内的增益大于29.7dB,等效噪声温度小于55K,输入输出匹配好于-25dB。     

太阳射电快速记录系统中方波隔离放大器的研制

本文指出了太阳射电快速记录系统中方波隔离放大器研制的必要性，并简要介绍了设计出发点，工作原理，设计和主主要技术指标的测试。     

BPM标准时号放大器的研制

本文简要论述BPM标准时号放大器的主要技术指标、L作原理和设计特点。     

GPM标准时号放大器的研制

本简要论述ＢＰＭ标准时号放大器的主要技术指标、工作原理和设计特点。     

15厘米太阳射电望远镜增益运算放大器的制作与调试

本文介绍了１５厘米太阳射电望远镜增益运算放大器的结构原理，调试检测及测试结果。     

15厘米太阳射电望远镜增益运算放大器的制作与调试

本文介绍了１５厘米太阳射电望远镜增益运算放大器的结构原理，调试检测及测试结果。     

C波段卫星信号接收机低噪声放大器的设计

介绍了一个应用于C波段卫星信号接收机的低噪声放大器(LNA)的设计过程。为达到低噪声和高增益的目标,该低噪声放大器是利用低噪声的PHEMT晶体管ATF36077(用在第一级)和噪声性能良好的微波单片放大器MGA86576(用在第二级)级联设计完成的。测试结果表明,该低噪声放大器的性能达到了预定指标:在3.8 GH至4.2 GHz工作带宽内噪声系数NF≤0.7 dB,增益≥36 dB,1 dB带宽约350 MHz。     

原子频标分配放大器的研制

本文介绍了分配放大器的技术指标及保证这些技术指标所采取的低噪声、高阻抗等具体措施。     

8-20GHz 宽带单片微波集成低噪声放大器设计

基于其体积小、重量轻、一致性好等特点,单片微波集成电路的低噪声放大器在射电天文中有着重要作用。本文采用稳懋公司150 nm和100 nm赝高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工艺设计了两款低噪声放大器电路,成功流片,并进行比较。两款放大器的工作频率范围均为8-20 GHz,增益约为23~28 dB,噪声温度低于150K,输入输出回波损耗大于10 dB。     

高精度脉冲隔离放大器的研制

本文介绍ＣＳＡＯ２０３型高精度脉冲隔离放大器的设计出发点、工作原理、设计特点和主要性能指标。     

高精度脉冲隔离放大器的研制

本文介绍ＣＳＡＯ２０３型高精度脉冲隔离放大器的设计出发点、工作原理、设计特点和主要性能指标。     

太阳射电快速记录系统中方波隔离放大器的研制

本文指出了太阳射电快速记录系统中方波隔离放大器研制的必要性，并简要介绍了设计出发点，工作原理，设计特点及主要技术指标的测试