半导体器件数值模拟的新方法及理论分析

试建立一种半导体器件数值模拟的新方法并给出理论分析。提出混合元逼近位势方程，以提高电场强度的计算精度。采用Ｌａｐｌａｃｅ修正的向前差分和特征线法对载流子浓度方程施行时间离散近似，并在具有再生核的函数空间中求解。利用再生核函数，得到可显式计算且绝对稳定的计算格式。文中给出近似解的最优阶误差估计。