| 低电离层调制激励VLF/ELF辐射参数优化理论分析 |
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| 引用本文： | 杨巨涛, 李清亮, 郝书吉, 王建国. 2018. 低电离层调制激励VLF/ELF辐射参数优化理论分析. 地球物理学报, 61(2): 477-483, doi: 10.6038/cjg2018L0159 |
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| 作者姓名： | 杨巨涛 李清亮 郝书吉 王建国 |
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| 作者单位： | 1. 西安交通大学电子与信息工程学院, 西安 710049; 2. 电波环境特性及模化技术重点实验室, 青岛 266107; 3. 西北核技术研究所, 西安 710024 |
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| 基金项目： | 中国电科技术创新基金（A171601C01）资助. |
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| 摘 要： | 
针对低电离层幅度调制加热过程中甚低频/极低频（VLF/ELF）激发效率较低的问题,该文利用低电离层调制加热模型分析方波幅度调制加热过程中占空比和加热频率对VLF/ELF辐射效率的影响,在此基础上获得最大VLF/ELF辐射效率下的优化占空比和加热频率选择范围.研究表明,随着调制波占空比的增大,激发的VLF/ELF等效辐射源强度先增大后减小,占空比的优化范围为40%~70%;随着加热频率的增大,激发的VLF/ELF等效辐射源强度先增大后减小,加热频率的优化范围为（0.
8~0.9）倍低电离层临界频率.
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| 关 键 词： | 幅度调制加热 参数优化 占空比 加热频率 |
| 收稿时间： | 2017-03-19 |
| 修稿时间： | 2017-05-03 |
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