| 功率器件生产过程中对硅片电阻率下滑的补偿 |
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| 引用本文： | 梁秀红,鞠玉林.功率器件生产过程中对硅片电阻率下滑的补偿[J].海洋技术,2000,19(3):71-73. |
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| 作者姓名： | 梁秀红 鞠玉林 |
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| 作者单位： | 河北工业大学材料研究中心,天津市,300130 |
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| 摘 要： | 用于制造功率器件的中子辐照区熔硅片，在经过１２５０℃、４０ｈ高温扩硼后，硅片体风电阻率下滑。本文通过实验表明了高温退火后硅片的冷却速率及硅片的厚度对电阻率的影响非常明显。并且介绍了将高温退火电阻率下降的硅片通过低温退火工艺对其进行电阻率补偿的方法。
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| 关 键 词： | 电阻率 补偿 功率器件 硅片 |
| 修稿时间： | 2000年1月28日 |
Compensation to Resistivity Drop of Silicon Chip during Power Element Production |
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| Liang Xiuhong.Compensation to Resistivity Drop of Silicon Chip during Power Element Production[J].Ocean Technology,2000,19(3):71-73. |
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| Authors: | Liang Xiuhong |
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