三峡水库运行后洞庭湖洪涝灾害遥感研究

利用洞庭湖区洪水位下的国产高分辨率影像和无人机航摄数据开展洞庭湖区洪涝灾害和堤垸溃缺监测,并结合20世纪90年代高洪水位下的遥感影像和洞庭湖区水文站点数据,分析了三峡水库运行后的湖泊蓄水、堤垸防洪情况。监测结果表明:(1)城陵矶水位达到三峡水库运行后的最高水位(34.47 m)时,洞庭湖的水域面积为2 245.26 km2,仍有435.03 km2的洲滩出露水面,主要分布在七里湖和目平湖,且大通湖水域面积与平水期水域面积变化不大,说明即便在高洪水位下,这3个湖泊的蓄洪能力也极为有限,七里湖和目平湖应作为未来清淤的重点;(2)国产卫星数据可满足洪涝灾害的宏观性应急监测需求,无人机技术是开展局部区域应急监测的有效手段;(3)遥感影像显示洞庭湖的堤垸基本无内涝淹没区域,与20世纪90年代高洪水位时的内涝灾情形成鲜明对比,说明洞庭湖的洪涝灾害防治工程成效显著。新华垸的溃决,也说明三峡水库的运行并不能从根本上解决洞庭湖的洪涝灾害隐患,洞庭湖区的防洪工作任重而道远。     

ISD单片语音录/放器件及电路设计

指出ＩＳＤ单片语言器件的独特之处，是采用直接模拟存储技术，语音信号以其原本的模拟形式直接存入模拟量存储器中并长远保存。省去了传统的Ａ／Ｄ和Ｄ／Ａ数模转换机制，能高保真的将语音内容再生。这是一种高新录／放技术。另外，给出的ＩＳＤ基本录／放电路十分简单易用。可方便地为微机系统、测控仪表电器和广播等设备所采用，使设备具有高效功能     

陀螺经纬仪的读数方法比较研究

介绍了陀螺定向测量中三种不同的数据采集方法，分析了各种方法的优缺点。作者认为传感器采集数据自动化程度高，精度高，特别是运用位置敏感探测器（PSD）采样数据量大，具有一定的抗干扰能力，但在运用传感器采样时必须注意克服非线性误差。     

2007国产空间信息系统软件测评结果在京揭晓

近日,受科技部高新技术发展及产业化司委托,由国家遥感中心联合中国地理信息系统协会、中国遥感应用协会、中国海外地理信息系统协会等单位共同组织的2007年度国产空间信息系统软件测评结果在京揭晓,共评选出具有完全自主知识产权的GIS类和遥感类共21项表彰软件。其中,超图地理信息软件平台套件V5．3,MapGIS工具型地理信息系统V7.2获得集中体现核心技术的GIS类基础软件表彰。     

支持国产软件维护企业自身生存发展

在选用国产CAD软件时,总结了设计软件影响企业稳定盈利的因素,进行综合分析和对比,制定相应的策略和方法,以积极的态度解决了国产CAD软件的应用问题。     

采用国产钻机和有线导向仪穿越黄浦江施工技术

上海黄浦江的定向穿越一直是国产设备、仪器的禁区，笔者凭借多年定向施工的经验和对设备的了解攻克了这一风险极大的难题。详细介绍了采用国产钻机和有线导向仪穿越黄浦江铺设6根φ110 mm、长500 m PE管的施工技术。     

国产卫星在基础地质调查中的适用性对比研究

为了更好地了解国产卫星的应用性能,围绕地矿业务化应用中的关键环节,对比分析了GF-1卫星数据和ZY-1 02C卫星数据在基岩裸露区基础地质调查中的适用性。从业务应用的角度,按照地质调查业务流程以及相关技术规范和指南,重点从信息承载能力、综合制图能力、地质要素识别能力3个方面评价了GF-1卫星数据和ZY-1 02C卫星数据在遥感基础地质调查中的适用性。     

基于B/S架构的海量国产高分辨率遥感影像的批量快速处理方法

针对海量高分辨率国产遥感卫星数据(主要应用高分一号数据、资源三号数据),以整个广西壮族自治区的国产遥感卫星影像为例,主要利用ENVI/IDL语言开发了对基准影像单波段提取的批处理、原始国产影像压缩包的批量解压、国产影像快速自动几何纠正的批处理、影像融合批处理、影像匀色批处理以及植被增强批处理,并利用ENVI SERVICEENGINE,最终将整套流程以B/S架构模式开发成系统平台.     

国产高分辨率卫星影像在省级国土监察中的应用研究

以广西壮族自治区66个县为研究区域,针对实际应用,分析违法类型,收集2016年上半年GF-1、GF-2、ZY-3数据,结合2015年辅助数据,采用ENVI IDL开发批处理程序进行数据预处理,通过影像比对,目视解译提取可疑图斑,利用地理处理模型(GP Model)获取图斑行政区、坐标、面积等属性数据。核查53个县,查明1 046宗违法用地,16个违法采矿点。结果表明:国产卫星影像能较好地反映地物信息,地物判读性较好,文中所示的内业工作流程高效可靠,对在国土监察工作中发现可疑图斑具有现实意义。     

增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究

深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500 ℃ N₂中退火5 min后,阈值电压由0.12 V正向移动到0.57 V,器件Schottky反向栅漏电流减小一个数量级.F注入增强型AlGaN/GaN HEMT在 400 ℃ N₂中退火2 min后,器件阈值电压由0.23 V负向移动到-0.69 V,栅泄漏电流明显增大.槽栅增强型器件退火过程中Schottky有效势垒