一个微波爆发的源区磁场和高能电子的能流估计

本文分析了１９９３年１０月２日０７：３９：４０－０７：４１：００ＵＴ时段太阳产生的一个多脉冲微波暴的观测，认为它是由多个脉冲爆发叠加在一个慢变爆发背景上组成的．根据谱分析和利用我们的日冕磁场诊断公式［１］，第一次获得了一个爆发源区的磁场强度和高能电子的信息，其主要结果是：（１）脉冲爆发分量在光薄部分的射电谱指数的平均值比慢变爆发背景的值小１，即前者的谱比后者的硬．在１９．６ＧＨｚ上的亮度温度前者比后者高６倍．（２）从脉冲爆发分量和慢变爆发背景分量推断的源区磁场平均值分别为１５８和５３１高斯，且发现在爆发期间，慢变暴源区磁场强度随时间圣马鞍形变化，在极大相的值比脉冲相和下降相低约５０％（３）产生脉冲暴分量的高能电子的柱密度ＮＬ和数密度Ｎ（＞Ｅ０）分别为慢变暴分量的４％和８％，但它们所携带的能流和发射系数要比慢变爆发分量的值高１倍和８倍！表明这两种爆发成份可能分别来自能谱不同的两群电子在不同爆发源区的辐射．     

回旋同步辐射自吸收的特性

详细研究了高能电子产生的回旋同步辐射自吸收的特性,并用磁偶极子场的 射电微波源模型计算了它的光学厚度.发现: (1)自吸率Kv随谐波数s的增加迅速地 下降,以致只有低次谐波(s<5)上的自吸收才会对微波爆发谱产生实质性的影响; (2) 自吸率κv随暗波数s下降的陡度还随高能电子的能谱指数δ的增加和其低能截止能量 E0的下降而迅速增加; (3)κv值还随传播角的增大而增加,并在70°至75°范围内达到 极值; (4)假设高能电子数密度为103cm-3,则在2≤s≤5范围内的自吸收的光学厚 度τvself在101-10-2之间变化,这些值约比回旋共振吸收的光学厚度τvgyro小3至4 个数量级.τvself在均匀磁场情况下可能被高估.只有当被加速的高能电子的数密度大于 104cm-3时,自吸收的光学厚度才开始能与回旋共振吸收的光学厚度相比较.     

从微波爆发谱光薄部分辐射估计日冕磁场强度的一种方法

从微波爆发谱光薄部分辐射估计日冕磁场强度的一种方法周爱华（中国科学院紫金山天文台南京２１０００８）关键词回旋同步加速辐射谱，磁场强度１引言目前对太阳活动区物理和耀斑物理过程的真正认识仍是十分困难的，原因之一在于迄今为止人们仍未找到一种完善的，能被大家...     

一组高精度的回旋同步加速辐射的近似式

本文对回旋同步加速辐射的发射系数 ην/BN和吸收系数KνB/N作了精确的数值计算 ,采用幂指数δ为电子能谱指数δ的多项式的幂函数拟合 ,获得了一组新的 ην/BN和KνB/N的近似式 ,在大多数爆发出现的δ和谐波系数S(=ν/νB)范围内 ,其精度好于±7%和± 1 7% ,比幂指数为δ的线性拟合的相应精度改善很多     

太阳微波爆分类

本文主要概述国内外太阳微波爆分类历史及分类的物理意义,并详细列出国际上太阳地球物理资料(SGD)目前使用的49分类的注释。还系统地比较了80年紫台、北台对微波爆分类工作,找到了分歧原因,提出今后分类工作的建议。