全文获取类型
收费全文 | 142篇 |
免费 | 28篇 |
国内免费 | 28篇 |
专业分类
测绘学 | 18篇 |
大气科学 | 32篇 |
地球物理 | 32篇 |
地质学 | 68篇 |
海洋学 | 20篇 |
天文学 | 3篇 |
综合类 | 3篇 |
自然地理 | 22篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 1篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 10篇 |
2020年 | 3篇 |
2019年 | 7篇 |
2018年 | 10篇 |
2017年 | 7篇 |
2016年 | 10篇 |
2015年 | 6篇 |
2014年 | 6篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 7篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 9篇 |
2009年 | 9篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 5篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 6篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 6篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 2篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 6篇 |
1997年 | 7篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 3篇 |
1994年 | 6篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 6篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
1964年 | 1篇 |
1962年 | 1篇 |
1958年 | 2篇 |
1955年 | 1篇 |
排序方式: 共有198条查询结果,搜索用时 218 毫秒
191.
192.
193.
194.
为了解阿尔金山前带东段基岩储层主要特征,对储层进行评价.在野外露头踏勘、岩心观察描述、薄片鉴定及相关分析测试的基础上,结合普通测井资料、成像测井资料及孔渗密实验数据等进行分析.结果表明,阿尔金山前带东段基岩储层岩性主要是岩浆岩和变质岩,岩浆岩以花岗岩为主,变质岩以片麻岩为主.储集空间类型主要包括未完全充填裂缝、溶蚀孔洞和基质微孔3类.基岩储层孔隙度介于0.004%~9.760%,平均孔隙度在1.663%~3.844%;渗透率介于最大值0.002~33.239mD,平均渗透率在0.020~3.836 mD,片麻岩类物性整体好于花岗岩类,孔隙度和渗透率之间没有明显的相关性.基岩储层主控因素包括岩性及矿物组合、古地貌、先存断裂及破碎带、后期岩浆侵入及热液作用4个方面.结合基岩储层的物性特征及形成的主控因素,建立了多因素控制的基岩储层评价标准,将储层分为好、中等、较差、差4类.评价结果表明,研究区多以Ⅱ类储层为主,主要见于花岗片麻岩,其次是花岗岩、黑云母斜长片麻岩等.东坪鼻隆、牛中-牛北斜坡可见Ⅰ类储层;尖北斜坡、牛东鼻隆、冷北斜坡多为Ⅱ类储层. 相似文献
195.
196.
197.
198.
Based on our previous work, the influence of annealing conditions on impurity species in in-situ arsenic (As)-doped Hg1-xCdxTe (x≈ 0.3) grown by molecular beam epitaxy has been systematically investigated by modulated photoluminescence spectra. The results show that (i) the doped-As acting as undesirable shallow/deep levels in as-grown can be optimized under proper annealing conditions and the physical mechanism of the disadvantage of high activation temperature, commonly assumed to be more favourable for As activation, has been discussed as compared with the reports in the As-implanted HgCdTe epilayers (x≈ 0.39), (ii) the density of V_textrmHg has an evident effect on the determination of bandgap (or composition) of epilayers and the excessive introduction of VHg will lead to a short-wavelength shift of epilayers, and (iii) the V_textrmHg prefers forming the VHg-AsHg complex when the inactivated-As (AsHg or related) coexists in a certain density, which makes it difficult to annihilate VHg in As-doped epilayers. As a result, the bandedge electronic structures of epilayers under different conditions have been drawn as a brief guideline for preparing extrinsic p-type epilayers or related devices. 相似文献