强磁场中的逆Compton散射与γ射线爆能谱

本文认为强磁场中的逆Compton散射可能是γ射线爆的主要辐射机制.其能谱是由源区质子产生的低频光子经强磁场中非热电子的Compton散射形成的.我们利用非相对论情形(B/B_(cr)≤1,hv_i/m_ec~2≤1)下强磁场中的Compton散射微分截面,导出了上述Compton散射的辐射谱公式,由此很好地拟合了典型γ射线爆GB811016的观测能谱.     

强磁场中e~＋e~－→3γ过程的研究

强磁场中的电磁辐射过程与自由空间的过程有着很大的差别．本工作就是对强磁场中的ｅ~＋ｅ~─→３γ过程作严格的量子电动力学处理，得到了一般情形下的截面与湮灭率的表达式。对静止湮灭作了数值计算，并与ｅ~＋ｅ~─→γ和ｅ~＋ｅ~─→２γ过程作了比较，比较结果表明三光子过程在强磁场（～１０~８Ｔ，中子星表面磁场强度）中，对低能光子（硬Ｘ射线）的发射有着不可忽略的贡献。     

强磁场和γ爆的研究进展

本文首先对甚强磁场(B～10~(12)—10~(13)G)的物理研究现状进行了概要的评述,着重说明它在γ爆理论中的重要意义,指出辐射与强磁化等离子体的相互作用性质是目前最迫切的研究课题。在第二部分中,我们概述了宇宙γ射线爆的基本特征,以及目前对它的理论认识和尚未解决的理论问题,指出强磁场效应可能对γ爆特性具有深刻的影响。最后,我们简单描述了有关γ爆研究的最新进展,并由此展望了γ爆研究的方向。     

γ射线暴的研究进展（Ⅱ）：γ暴的辐射机制及能谱形成

在中子星作为γ暴源的基础上讨论了各种辐射机制及能谱形成。由于中子星表面磁场很强，我们首先讨论了强磁场中的辐射过程，包括同步辐射和吸收，单光子和双光子的产生和湮灭，康普顿散射，轫致辐射等。     

强磁场下逆康普顿散射的偏振特性

本文在Herold和我们前一工作的基础上,讨论了强磁场中不同情况(相对论情况和非相对论情况)下的逆Compton散射的偏振特性,并与无磁场情况进行了比较,得出一些有益的结果。在研究气体,尤其是具有强磁场天体的高能X射线和γ射线,甚至光学辐射机制时,这些偏振特性必须给予充分注意。     

强磁场中e^＋eˉ→3γ过程的研究

强磁场中的电磁辐射过程与自由空间的过程有着很大的差别。本工作就是对强磁场中的ｅ＾＋ｅˉ→３γ过程严格的量子电动力学处理，得到了一般情形下的截面与湮灭率的表达式。对静止湮灭作了数值计算，并与ｅ＾＋ｅˉ→γ和ｅ＾＋ｅˉ→２γ过程作了比较。比较结果表明三光子过程在弱磁场（～１０＾８Ｔ，中子星表面磁场强度）中，对低能光子（硬Ｘ射线）的发射有着不可忽略的贡献。     

脉冲星的γ辐射

本文根据Ｒ－Ｓ模型讨论脉冲星的γ辐射，在讨论光子被电磁场吸收时，我们把中子星磁层分成两部分，一部分以电场吸收为主，另一部分以磁场吸收为主。本文以电子在电磁场中的级联过程为基础，计算了Ｃｒａｂ、Ｖｅｌａ等六个已知γ射线脉冲星的一些物理量，发现与观测基本相符。另外我们还预言了一些很可能是γ射线脉冲星的候选者。     

γ爆的磁流管模型

本文讨论了一种基于老年中子星的γ爆的磁流管模型.这个模型认为中子星表面磁场包含有两种成分,一种为弱的偶极背景磁场,另一种为细管状局域强磁场.此模型可以同时解释回旋吸收线和高能尾巴的存在.本文还计算了磁场为1.7×10~(12)G时的Compton散射截面。对于GB880205,根据吸收线的深度定出磁流管内电子数密度与管的直径之积约为10~(21)cm~(-2).     

1979年3月5日γ射线爆源区特性探讨

本文利用热同步辐射谱和正负电子对双光子湮灭谱直接拟合1979年3月5日γ射线爆观察能谱,从而获得描写源区特性一些参数,结合其它观察资料,探讨了这个爆的源区特性。结果表明,爆源距离不大于2.2kpc,并不是在LMC的N49超新星遗迹处。源区的磁场范围是1.5×(10~(12)—10~(11))G。同步辐射区和双光子湮灭区的厚度分别约为0.05—2.80cm及240—80cm     

软γ射线重爆GB790107的辐射机制

本文在中子星吸积彗星云模型的基础上,认为软重爆GB790107起源于弱磁化(B～10~8G)中子星,其阵雨式地吸积彗星云将在中子星表面形成一光厚辐射区,该辐射区的温度分布由激波模型确定.这一辐射区中的高温等离子体产生的黑体辐射将很好地拟合GB790107的观测能谱,且获得爆源距离为(1.35～13.5)pc.